特許

J-GLOBAL ID：201803006224931500

中性子半導体検出構造、中性子半導体検出器、及び中性子半導体検出構造の製造方法

発明者： 中野 貴之 ,  秩父 重英 ,  小島 一信
出願人/特許権者： 国立大学法人静岡大学 ,  国立大学法人東北大学
代理人 (2件)： 長谷川 芳樹 ,  諏澤 勇司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-068686
公開番号（公開出願番号）：特開2018-169355
出願日： 2017年03月30日
公開日（公表日）： 2018年11月01日
要約：

【課題】中性子の検出効率を向上させることができる中性子半導体検出構造、中性子半導体検出器、及び中性子半導体検出構造の製造方法を提供する。【解決手段】中性子半導体検出構造10は、サファイア基板11及びGaNバッファー層12を有する基板と、基板上に形成され、入射した中性子nを捕捉する中性子検出部40と、を備えている。中性子検出部40は、窒化ガリウム(GaN)を含有するGaN体41と、窒化ホウ素(BN)及び窒化ボロンガリウム(BGaN)のうちの少なくとも一方を含有する複数のB含有体42と、を有している。各B含有体42は、GaN体41に埋設されている。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

基板と、 前記基板上に形成され、入射した中性子を捕捉する中性子検出部と、を備え、 前記中性子検出部は、 窒化ガリウム(GaN)を含有するGaN体と、 窒化ホウ素(BN)及び窒化ボロンガリウム(BGaN)のうちの少なくとも一方を含有する複数のB含有体と、を有し、 複数の前記B含有体のそれぞれは、前記GaN体に埋設されている、中性子半導体検出構造。

IPC (1件)：

G01T 3/08

FI (1件)：

G01T3/08

Fターム (6件)：

2G188BB09 ,  2G188CC29 ,  2G188CC31 ,  2G188CC36 ,  2G188DD42 ,  2G188DD44

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 窒化物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-328631   出願人：日亜化学工業株式会社
• X線検出装置
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平9-512892   出願人：アストララックス・インコーポレイテッド

引用文献：

出願人引用 (1件)

• BGaN半導体材料を用いた新規熱中性子検出器の提案と開発