特許
J-GLOBAL ID：201803006388710369
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
山田 卓二
, 田中 光雄
, 福岡 正明
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-272486
公開番号（公開出願番号）：特開2015-128082
特許番号：特許第6237227号
出願日： 2013年12月27日
公開日（公表日）： 2015年07月09日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 トレンチ構造のゲート電極が埋設された半導体本体を有する半導体装置であって、
前記ゲート電極の半導体本体の表面に露出する端部に接続され、前記半導体本体の内部で発生した熱を前記ゲート電極を介して吸熱する吸熱部が設けられており、
前記吸熱部には、P型及び/またはN型半導体で形成されたペルチェ素子が設けられ、
前記ペルチェ素子は、前記熱を吸収する吸熱面と、吸収した熱を放出する放熱面とを有し、
前記半導体装置は、前記ゲート電極を複数備え、
各ゲート電極の半導体本体の表面に露出する端部は、前記ペルチェ素子の吸熱面に直接接続されている
ことを特徴とする半導体装置。
IPC (7件)：
H01L 29/78 ( 200 6.01)
, H01L 29/12 ( 200 6.01)
, H01L 29/739 ( 200 6.01)
, H01L 21/28 ( 200 6.01)
, H01L 29/417 ( 200 6.01)
, H01L 35/32 ( 200 6.01)
, H01L 35/30 ( 200 6.01)
H01L 29/78 653 A
, H01L 29/78 652 T
, H01L 29/78 655 A
, H01L 29/78 657 Z
, H01L 21/28 301 B
, H01L 21/28 301 R
, H01L 29/50 M
, H01L 35/32 A
, H01L 35/30
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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