特許
J-GLOBAL ID：201803006663555310

接合装置および接合システム

発明者：
大森 陽介

大森 陽介 について

, 
永田 篤史

永田 篤史 について

, 
菅川 賢治

菅川 賢治 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人酒井国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-156063
公開番号（公開出願番号）：特開2018-026413
出願日： 2016年08月09日
公開日（公表日）： 2018年02月15日
要約：
【課題】接合後の基板の歪みを低減させること。【解決手段】実施形態に係る接合装置は、第1保持部と、第2保持部と、昇降機構と、隔壁と、ガス導入口と、ガス供給部とを備える。第1保持部は、第1基板を上方から吸着保持する。第2保持部は、第1保持部の下方に配置され、第2基板を下方から吸着保持する。昇降機構は、第1保持部または第2保持部を鉛直方向に沿って移動させる。隔壁は、第1保持部または第2保持部に設けられ、第1基板と第2基板との接合処理が行われる処理空間を第1保持部および第2保持部とともに形成する。ガス導入口は、処理空間に対して不活性ガスを導入する。ガス供給部は、ガス導入口を介して処理空間内に不活性ガスを供給する。【選択図】図6
請求項（抜粋）：
第1基板を上方から吸着保持する第1保持部と、 前記第1保持部の下方に配置され、第2基板を下方から吸着保持する第2保持部と、 前記第1保持部または前記第2保持部を鉛直方向に沿って移動させる昇降機構と、 前記第1保持部または前記第2保持部に設けられ、前記第1基板と前記第2基板との接合処理が行われる処理空間を前記第1保持部および前記第2保持部とともに形成する隔壁と、 前記処理空間に対して不活性ガスを導入するガス導入口と、 前記ガス導入口を介して前記処理空間内に前記不活性ガスを供給するガス供給部と、 を備えることを特徴とする接合装置。
IPC (2件)：
H01L 21/02 ,  H01L 21/683
FI (2件)：
H01L21/02 B ,  H01L21/68 N
Fターム (41件)：
4E167AA18 ,  4E167BA02 ,  4E167CA01 ,  4E167CB03 ,  4E167DA05 ,  4E167DC02 ,  5F131AA02 ,  5F131AA22 ,  5F131BA31 ,  5F131BA60 ,  5F131BB03 ,  5F131CA07 ,  5F131DA32 ,  5F131DA33 ,  5F131DA36 ,  5F131DA42 ,  5F131DA54 ,  5F131DA62 ,  5F131DB02 ,  5F131DB52 ,  5F131DB62 ,  5F131DB76 ,  5F131EA03 ,  5F131EA06 ,  5F131EA10 ,  5F131EA22 ,  5F131EA23 ,  5F131EA24 ,  5F131EB01 ,  5F131EB11 ,  5F131EB54 ,  5F131EB63 ,  5F131EB72 ,  5F131FA14 ,  5F131FA17 ,  5F131FA32 ,  5F131FA35 ,  5F131GA13 ,  5F131JA12 ,  5F131JA34 ,  5F131KA14
引用特許：
審査官引用 (4件)
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