特許
J-GLOBAL ID:201803006716030320
駆動システムおよび電力変換装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
特許業務法人深見特許事務所
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-242485
公開番号(公開出願番号):特開2018-098938
出願日: 2016年12月14日
公開日(公表日): 2018年06月21日
要約:
【課題】過電流検出時に、誤動作を発生させることなく、半導体スイッチング素子のターンオフ速度を確実に低下させる。【解決手段】駆動回路52は、半導体スイッチング素子20をターンオフするために駆動制御信号GLuがLレベルに変化すると、トランジスタ74pのオンにより、半導体スイッチング素子20のゲート電極23および基準電位点8の間に放電経路を形成する。放電速度制御回路100aは、ゲート電極23の上記放電経路に接続される抵抗素子105aと、抵抗素子105aと並列に接続されたバイパススイッチ110aとを有する。バイパススイッチ105aは、保護制御信号SPuに従って、過電流が検知されていない通常時にはオンする一方で、過電流検出時にはオフするように制御される。【選択図】図2
請求項(抜粋):
駆動制御信号に応じてオンオフされる半導体スイッチング素子の駆動システムであって、
前記駆動制御信号に応じて、前記半導体スイッチング素子のゲートを第1の電圧へ向けて充電する動作および前記ゲートを第2の電圧へ向けて放電する動作を選択的に実行するように構成された駆動回路と、
前記駆動回路による放電経路に接続された抵抗素子と、
前記放電経路において前記抵抗素子と並列に接続されたバイパススイッチとを備え、
前記バイパススイッチは、前記半導体スイッチング素子の過電流検出に応答してオン状態からオフ状態に変化する、駆動システム。
IPC (4件):
H02M 1/08
, H02M 1/00
, H02M 7/48
, H02H 7/122
FI (4件):
H02M1/08 A
, H02M1/00 H
, H02M7/48 M
, H02H7/122 Z
Fターム (36件):
5G053AA01
, 5G053BA01
, 5G053CA02
, 5G053CA04
, 5G053EB01
, 5G053EC03
, 5G053FA04
, 5H740AA04
, 5H740BA12
, 5H740BB02
, 5H740BB05
, 5H740BC01
, 5H740BC02
, 5H740HH05
, 5H740JB01
, 5H740KK01
, 5H740MM12
, 5H770BA01
, 5H770BA03
, 5H770BA05
, 5H770BA09
, 5H770CA01
, 5H770CA02
, 5H770CA05
, 5H770DA01
, 5H770DA41
, 5H770GA04
, 5H770GA07
, 5H770HA02X
, 5H770HA02Y
, 5H770JA10X
, 5H770JA17Z
, 5H770JA19X
, 5H770LA02X
, 5H770LA02Y
, 5H770LB09
引用特許:
審査官引用 (6件)
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電力変換器におけるゲート駆動回路
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-248712
出願人:富士電機株式会社
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電力用半導体素子のゲート駆動回路
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-006399
出願人:富士電機株式会社
-
放電制御回路
公報種別:公開公報
出願番号:特願2011-096839
出願人:アイシン・エィ・ダブリュ株式会社
-
電力変換装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2001-278295
出願人:東芝エレベータ株式会社
-
パワーモジュール
公報種別:公開公報
出願番号:特願2012-036658
出願人:三菱電機株式会社
-
半導体素子の駆動回路
公報種別:公開公報
出願番号:特願2006-005659
出願人:株式会社日立製作所
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