特許
J-GLOBAL ID：201803006716496876

表面増強ラマン散乱素子の製造方法

発明者：
伊藤 将師

伊藤 将師 について

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柴山 勝己

柴山 勝己 について

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笠原 隆

笠原 隆 について

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丸山 芳弘

丸山 芳弘 について


出願人/特許権者：
浜松ホトニクス株式会社

浜松ホトニクス株式会社 について


代理人 (5件)： 長谷川 芳樹 ,  黒木 義樹 ,  柴山 健一 ,  阿部 寛 ,  城戸 博兒
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-529579
特許番号：特許第6266520号
出願日： 2013年08月09日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 主面を有する基板と、前記主面上に形成され、微細構造部を含む成形層と、前記微細構造部上に形成され、表面増強ラマン散乱を生じさせる光学機能部を構成する導電体層と、を備える表面増強ラマン散乱素子の製造方法であって、 前記基板に対応する部分を複数含むウェハの主面にナノインプリント層を形成する第1の工程と、 前記第1の工程の後に、前記微細構造部に対応するパターンを有するモールドを用いて、前記ナノインプリント層に前記パターンを転写することにより、前記基板に対応する前記部分ごとに、前記微細構造部を含む前記成形層を形成する第2の工程と、 前記第2の工程の後に、前記微細構造部上に前記導電体層を形成する第3の工程と、 前記第2の工程の後に、前記基板に対応する前記部分ごとに前記ウェハを切断する第4の工程と、を備え、 前記成形層は、前記基板に対応する複数の前記部分に亘って一体的に形成されており、 前記基板に対応する前記部分を囲むように当該部分間を通る切断予定ライン上に存在する前記成形層を前記ウェハと共に切断する、 表面増強ラマン散乱素子の製造方法。
IPC (1件)：
G01N 21/65 ( 200 6.01)
FI (1件)：
G01N 21/65
引用特許：
審査官引用 (4件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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