特許
J-GLOBAL ID:201803006993265628
レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法並びに塩
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
新樹グローバル・アイピー特許業務法人
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2018-005561
公開番号(公開出願番号):特開2018-120218
出願日: 2018年01月17日
公開日(公表日): 2018年08月02日
要約:
【課題】優れた解像度でレジストパターンを製造することができるレジスト組成物及びレジストパターンの製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】式(I0)で表される塩及び式(IIa)で表される部分構造を有する化合物を含有するレジスト組成物。[式中、Q1及びQ2は、それぞれF又はペルフルオロアルキル基;R1及びR2は、それぞれH、F又はペルフルオロアルキル基;zは0〜6の整数;X1は、*-C(=O)-O-、*-O-C(=O)-等;A1は、単結合又は脂環式炭化水素基等;A11及びA12は、それぞれ単結合又は脂肪族炭化水素基等;Arは芳香族炭化水素基等;X2は単結合又はFを有してもよい2価の炭化水素基;Z+は有機カチオン;R1a、R2a及びR3aは、それぞれ単結合、炭化水素基等;sは1以上の整数;*は結合位を表す。]【選択図】なし
請求項(抜粋):
式(I0)で表される塩及び式(IIa)で表される部分構造を有する化合物を含有するレジスト組成物。
IPC (5件):
G03F 7/004
, G03F 7/039
, G03F 7/20
, C09K 3/00
, C08F 30/08
FI (5件):
G03F7/004 503A
, G03F7/039 601
, G03F7/20 521
, C09K3/00 K
, C08F30/08
Fターム (57件):
2H197CA06
, 2H197CA08
, 2H197CA09
, 2H197CA10
, 2H197CE01
, 2H197CE10
, 2H197GA01
, 2H197HA03
, 2H197JA22
, 2H225AF11P
, 2H225AF16P
, 2H225AF24P
, 2H225AF53P
, 2H225AF56P
, 2H225AF67P
, 2H225AF69P
, 2H225AF70P
, 2H225AF71P
, 2H225AF99P
, 2H225AH09
, 2H225AH17
, 2H225AH19
, 2H225AJ13
, 2H225AJ52
, 2H225AJ54
, 2H225AJ59
, 2H225AJ74
, 2H225AJ82
, 2H225AN39P
, 2H225AN54P
, 2H225BA01P
, 2H225BA26P
, 2H225CA12
, 2H225CB18
, 2H225CC03
, 2H225CC15
, 4J100AJ02R
, 4J100AK32P
, 4J100AL08P
, 4J100AL08Q
, 4J100AL08S
, 4J100AP16P
, 4J100AP16R
, 4J100BA03S
, 4J100BA11P
, 4J100BA76P
, 4J100BA76Q
, 4J100BC03Q
, 4J100BC09Q
, 4J100BC09R
, 4J100BC43P
, 4J100BC43Q
, 4J100BC53P
, 4J100CA05
, 4J100CA06
, 4J100DA01
, 4J100JA38
引用特許:
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