特許
J-GLOBAL ID:201803006993265628

レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法並びに塩

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 新樹グローバル・アイピー特許業務法人
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2018-005561
公開番号(公開出願番号):特開2018-120218
出願日: 2018年01月17日
公開日(公表日): 2018年08月02日
要約:
【課題】優れた解像度でレジストパターンを製造することができるレジスト組成物及びレジストパターンの製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】式(I0)で表される塩及び式(IIa)で表される部分構造を有する化合物を含有するレジスト組成物。[式中、Q1及びQ2は、それぞれF又はペルフルオロアルキル基;R1及びR2は、それぞれH、F又はペルフルオロアルキル基;zは0〜6の整数;X1は、*-C(=O)-O-、*-O-C(=O)-等;A1は、単結合又は脂環式炭化水素基等;A11及びA12は、それぞれ単結合又は脂肪族炭化水素基等;Arは芳香族炭化水素基等;X2は単結合又はFを有してもよい2価の炭化水素基;Z+は有機カチオン;R1a、R2a及びR3aは、それぞれ単結合、炭化水素基等;sは1以上の整数;*は結合位を表す。]【選択図】なし
請求項(抜粋):
式(I0)で表される塩及び式(IIa)で表される部分構造を有する化合物を含有するレジスト組成物。
IPC (5件):
G03F 7/004 ,  G03F 7/039 ,  G03F 7/20 ,  C09K 3/00 ,  C08F 30/08
FI (5件):
G03F7/004 503A ,  G03F7/039 601 ,  G03F7/20 521 ,  C09K3/00 K ,  C08F30/08
Fターム (57件):
2H197CA06 ,  2H197CA08 ,  2H197CA09 ,  2H197CA10 ,  2H197CE01 ,  2H197CE10 ,  2H197GA01 ,  2H197HA03 ,  2H197JA22 ,  2H225AF11P ,  2H225AF16P ,  2H225AF24P ,  2H225AF53P ,  2H225AF56P ,  2H225AF67P ,  2H225AF69P ,  2H225AF70P ,  2H225AF71P ,  2H225AF99P ,  2H225AH09 ,  2H225AH17 ,  2H225AH19 ,  2H225AJ13 ,  2H225AJ52 ,  2H225AJ54 ,  2H225AJ59 ,  2H225AJ74 ,  2H225AJ82 ,  2H225AN39P ,  2H225AN54P ,  2H225BA01P ,  2H225BA26P ,  2H225CA12 ,  2H225CB18 ,  2H225CC03 ,  2H225CC15 ,  4J100AJ02R ,  4J100AK32P ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08S ,  4J100AP16P ,  4J100AP16R ,  4J100BA03S ,  4J100BA11P ,  4J100BA76P ,  4J100BA76Q ,  4J100BC03Q ,  4J100BC09Q ,  4J100BC09R ,  4J100BC43P ,  4J100BC43Q ,  4J100BC53P ,  4J100CA05 ,  4J100CA06 ,  4J100DA01 ,  4J100JA38
引用特許:
審査官引用 (5件)
全件表示

前のページに戻る