特許
J-GLOBAL ID：201803007274827025
端子構造、端子構造の製造方法およびトランス
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
家入 健
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-065505
公開番号（公開出願番号）：特開2014-192282
特許番号：特許第6222723号
出願日： 2013年03月27日
公開日（公表日）： 2014年10月06日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 端子部を備える基材と、
前記端子部において、前記基材の厚さ方向に前記基材を貫通している第1のスルーホールと、
前記第1のスルーホールの内壁に形成された金属被覆層と、
前記第1のスルーホール内に配置され、当該第1のスルーホール内において前記金属被覆層と当接する第1の当接部を備えるリード部材と、
前記第1のスルーホール内に充填され前記リード部材と前記金属被覆層とを電気的に接続するはんだと、
前記基材の側面に形成され、前記はんだを前記第1のスルーホールに充填可能な開口部と、を備え、
前記開口部は、前記基材の厚さ方向において前記基材を貫通し、かつ前記第1のスルーホールと連続した空間を形成している第2のスルーホールの一部である、
端子構造。
IPC (2件)：
H01F 27/28 ( 200 6.01)
, H01F 30/10 ( 200 6.01)
H01F 27/28 A
, H01F 15/10 P
, H01F 30/10 F
, H01F 30/10 D
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (10件)
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