特許
J-GLOBAL ID：201803007495939316

レーザ照射装置及び半導体装置の製造方法

発明者：
伊藤 大介

伊藤 大介 について

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小田嶋 保

小田嶋 保 について

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清水 良

清水 良 について

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町田 政志

町田 政志 について

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松島 達郎

松島 達郎 について


出願人/特許権者：
株式会社日本製鋼所

株式会社日本製鋼所 について


代理人 (1件)： 家入 健
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-197789
公開番号（公開出願番号）：特開2018-060927
出願日： 2016年10月06日
公開日（公表日）： 2018年04月12日
要約：
【課題】照射ムラを抑制し、安定した結晶化処理を行うレーザ照射装置及び半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】一実施の形態にかかるレーザ照射装置1は、レーザ光L1を被照射体に照射する光学系モジュール20と、レーザ光L1が通過するスリット54が形成された遮断板51と、光学系モジュール20と遮断板51との間に配置された反射光受光部材61と、を有し、反射光受光部材61は、レーザ光L1のうち、遮断板51で反射された反射光R1を受光することが可能である。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
レーザ光を被照射体に照射する光学系モジュールと、 前記レーザ光が通過する第1のスリットが形成された第1の遮断板と、 前記光学系モジュールと前記第1の遮断板との間に配置された反射光受光部材と、 を有し、 前記反射光受光部材は、前記レーザ光のうち前記第1の遮断板で反射された第1の反射光を受光することが可能なレーザ照射装置。
IPC (5件)：
H01L 21/268 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 51/50
FI (4件)：
H01L21/268 J ,  H01L21/20 ,  H01L29/78 627G ,  H05B33/14 A
Fターム (41件)：
3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC33 ,  3K107EE04 ,  3K107FF06 ,  3K107FF15 ,  5F110AA30 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110EE03 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF29 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110NN02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP06 ,  5F110QQ09 ,  5F152AA08 ,  5F152BB03 ,  5F152CC02 ,  5F152CC03 ,  5F152CC07 ,  5F152CC08 ,  5F152CD13 ,  5F152CD14 ,  5F152CD17 ,  5F152CD24 ,  5F152CE05 ,  5F152CE12 ,  5F152CG10 ,  5F152CG13 ,  5F152EE01 ,  5F152EE05 ,  5F152FF03 ,  5F152FG03 ,  5F152FG23 ,  5F152FH03
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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