特許
J-GLOBAL ID:201803007522311162
超伝導単一光子検出器モジュール
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
特許業務法人 谷・阿部特許事務所
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-131629
公開番号(公開出願番号):特開2018-004444
出願日: 2016年07月01日
公開日(公表日): 2018年01月11日
要約:
【課題】光ファイバから入射するフォトンを低損失でシリコン細線光導波路に入力することを可能とする超伝導単一光子検出器モジュールを提供することにある。【解決手段】超伝導単一光子検出器モジュールは、半導体基板に形成されたアンダークラッド104の上に隣接して集積された超伝導単一光子検出器及び石英系コア光導波路204を備え、超伝導単一光子検出器は、シリコン細線光導波路106と、断面が大きい方の端でシリコン細線光導波路と接続されたテーパ形状のスポットサイズ変換器202と、シリコン細線光導波路の上に形成された超伝導体ナノワイヤ108と、から構成され、石英系コア光導波路は、入射端において光ファイバと端面接続され、スポットサイズ変換器と接し、該スポットサイズ変換器を介してシリコン細線光導波路に接続されている。【選択図】図2
請求項(抜粋):
超伝導単一光子検出器モジュールであって、
半導体基板に形成されたアンダークラッドの上に隣接して集積された超伝導単一光子検出器及び石英系コア光導波路を備え、
前記超伝導単一光子検出器は、
前記アンダークラッドの上に形成されたシリコン細線光導波路と、
前記アンダークラッドの上に形成されたテーパ形状のスポットサイズ変換器であり、断面が大きい方の端で前記シリコン細線光導波路と接続された、スポットサイズ変換器と、
前記シリコン細線光導波路の上に形成された超伝導体ナノワイヤと、
から構成され、
前記石英系コア光導波路は、
入射端において光ファイバと端面接続され、
前記スポットサイズ変換器と接し、前記スポットサイズ変換器を介して前記シリコン細線光導波路に接続されている、
ことを特徴とする超伝導単一光子検出器モジュール。
IPC (7件):
G01J 1/02
, G02B 6/12
, G02B 6/122
, G02B 6/125
, G02B 6/42
, H01L 31/023
, H01L 31/026
FI (8件):
G01J1/02 R
, G02B6/12 301
, G02B6/122 311
, G02B6/125
, G02B6/12 336
, G02B6/42
, H01L31/02 C
, H01L31/08 L
Fターム (51件):
2G065AB19
, 2G065BA31
, 2G065BB02
, 2G065BB04
, 2G065BB28
, 2G065BE01
, 2G065CA12
, 2G065DA13
, 2H137AB09
, 2H137AC01
, 2H137BA03
, 2H137BA36
, 2H137BA38
, 2H137BA52
, 2H137BA53
, 2H137BB12
, 2H137DB11
, 2H137EA11
, 2H137HA05
, 2H137HA12
, 2H147AB05
, 2H147AB09
, 2H147AB16
, 2H147AB24
, 2H147BB02
, 2H147BB04
, 2H147BB09
, 2H147BD01
, 2H147BE04
, 2H147CA01
, 2H147CB01
, 2H147DA11
, 2H147EA10D
, 2H147EA13A
, 2H147EA13C
, 2H147EA14A
, 2H147FA05
, 2H147FD19
, 2H147GA06
, 2H147GA10
, 2H147GA11
, 2H147GA19
, 5F849AA17
, 5F849AB01
, 5F849BA30
, 5F849BB01
, 5F849GA05
, 5F849JA14
, 5F849XB05
, 5F849XB24
, 5F849XB32
引用特許:
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