特許
J-GLOBAL ID：201503030394949670

光モジュールの作製方法

発明者：
土澤 泰

土澤 泰 について

, 
西 英隆

西 英隆 について

, 
山田 浩治

山田 浩治 について


出願人/特許権者：
日本電信電話株式会社

日本電信電話株式会社 について


代理人 (3件)： 山川 政樹 ,  山川 茂樹 ,  小池 勇三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-225178
公開番号（公開出願番号）：特開2015-087510
出願日： 2013年10月30日
公開日（公表日）： 2015年05月07日
要約：
【課題】シリコン導波路と石英系導波路とをモノリシック集積した特性のよい光モジュールが、容易に作製できる方法を提供する。【解決手段】予め用意してあるSOI(Silicon on Insulator)基板の表面シリコン層306を、第1クラッド層の表面に貼り付け、この後、シリコンからなる基板部304、および埋め込み絶縁層305を除去して表面シリコン層306を露出させ、シリコンコアを形成する。【選択図】図3B
請求項（抜粋）：
シリコンからなる基板部と前記基板部の上に埋め込み絶縁層を介して表面シリコン層を備えるSOI基板を用意する第1工程と、 シリコン基板の主表面を熱酸化して前記埋め込み絶縁層より厚い第1クラッド層を形成する第2工程と、 前記第1クラッド層の表面に前記SOI基板の表面シリコン層を貼り付ける第3工程と、 前記基板部を除去する第4工程と、 前記埋め込み絶縁層を除去して前記表面シリコン層を露出させる第5工程と、 前記表面シリコン層をパターニングし、前記第1クラッド層の上にシリコンコアを形成する第6工程と、 前記シリコンコアを形成した前記第1クラッド層の上に、SiO2より屈折率の高い石英系材料からなる石英系膜を形成する第7工程と、 前記石英系膜をパターニングすることで、前記シリコンコアより大きな断面形状の石英系コアを前記シリコンコアに接続して形成する第8工程と、 前記石英系膜,前記石英系コア,および前記第1クラッド層の上に第2クラッド層を形成する第9工程と を備えることを特徴とする光モジュールの作製方法。
IPC (2件)：
G02B 6/13 ,  G02B 6/122
FI (2件)：
G02B6/12 M ,  G02B6/12 A
Fターム (13件)：
2H147AB24 ,  2H147BB02 ,  2H147BB04 ,  2H147BB10 ,  2H147EA13A ,  2H147EA13C ,  2H147EA14A ,  2H147EA14B ,  2H147FA05 ,  2H147FA27 ,  2H147FC02 ,  2H147FC07 ,  2H147FD15
引用特許：
審査官引用 (4件)
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