特許

J-GLOBAL ID：201803007601475774

Ga2O3系半導体素子

発明者： 佐々木 公平 ,  東脇 正高
出願人/特許権者： 株式会社タムラ製作所 ,  国立研究開発法人情報通信研究機構
代理人 (1件)： 特許業務法人平田国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-126849
公開番号（公開出願番号）：特開2015-002293
特許番号：特許第6284140号
出願日： 2013年06月17日
公開日（公表日）： 2015年01月05日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 β-Ga2O3基板上に形成されたβ-Ga2O3単結晶層と、 前記β-Ga2O3単結晶層上に形成されたソース電極及びドレイン電極と、 前記β-Ga2O3単結晶層上の前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に形成されたゲート電極と、 前記β-Ga2O3単結晶層の表面の前記ソース電極と前記ゲート電極との間の領域及び前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間の領域を覆う、(AlxGa1-x)2O3(0<x≦1)を主成分とするパッシベーション膜と、 を有するGa2O3系半導体素子。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 21/28 ( 200 6.01)

FI (7件)：

H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 620 ,  H01L 29/78 626 C ,  H01L 21/28 301 B ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 29/78 617 T ,  H01L 29/78 619 A

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2012-121640   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

審査官引用 (3件)

• 半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2012-121640   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 薄膜トランジスタおよび表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-174469   出願人：ソニー株式会社
• 酸化物半導体膜の作製方法、半導体装置の作製方法及び半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2012-149428   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所