半導体装置の作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-121640
公開番号（公開出願番号）：特開2013-016783
出願日： 2012年05月29日
公開日（公表日）： 2013年01月24日
要約：

【課題】高いオン特性を有する酸化物半導体を用いたトランジスタを提供する。高速応答及び高速駆動の可能なトランジスタを有する高性能の半導体装置を提供する。【解決手段】チャネル形成領域を含む酸化物半導体膜を有するトランジスタの作製工程において、該酸化物半導体膜上に金属元素を含む絶縁膜を形成し、注入法により該金属元素を含む絶縁膜を通過して導入されたドーパントを含む低抵抗領域を形成する。低抵抗領域はチャネル長方向においてチャネル形成領域を挟んで形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

チャネル形成領域を含む酸化物半導体膜を形成し、前記酸化物半導体膜において、前記チャネル形成領域を挟んで前記チャネル形成領域より抵抗が低く、ドーパントを含む低抵抗領域を形成し、前記低抵抗領域は、前記酸化物半導体膜上に設けられた金属元素を含む絶縁膜を通過して前記酸化物半導体膜に前記ドーパントを導入する工程によって形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (2件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (3件)：

H01L29/78 618B , H01L29/78 616L , H01L29/78 619A

Fターム (71件)：

5F110AA01 , 5F110AA07 , 5F110BB01 , 5F110BB05 , 5F110BB10 , 5F110CC02 , 5F110CC05 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD05 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE07 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE30 , 5F110EE32 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110GG01 , 5F110GG12 , 5F110GG13 , 5F110GG15 , 5F110GG17 , 5F110GG24 , 5F110GG25 , 5F110GG33 , 5F110GG34 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG44 , 5F110GG57 , 5F110GG58 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ12 , 5F110HJ13 , 5F110HJ16 , 5F110HJ18 , 5F110HJ21 , 5F110HJ23 , 5F110HL01 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110NN03 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN27 , 5F110NN33 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN72 , 5F110QQ09 , 5F110QQ11 , 5F110QQ19

引用特許：

審査官引用 (6件)

電界効果型トランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-261878 出願人：キヤノン株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-236149 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体機器及びその製法
公報種別：公表公報出願番号：特願2008-540385 出願人：財団法人高知県産業振興センター, カシオ計算機株式会社

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