特許
J-GLOBAL ID：201803007714258206

半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者：
ジュン・ハク・キム

ジュン・ハク・キム について

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ヒ・ジュン・キム

ヒ・ジュン・キム について

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セ・ラ・キム

セ・ラ・キム について

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ジュン・ホ・ジョ

ジュン・ホ・ジョ について

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クワン・ジュ・イ

クワン・ジュ・イ について

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スン・ヒ・ナム

スン・ヒ・ナム について

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ヨン・クク・キム

ヨン・クク・キム について


出願人/特許権者：
エルジー・ケム・リミテッド

エルジー・ケム・リミテッド について


代理人 (2件)： 実広 信哉 ,  渡部 崇
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-511720
公開番号（公開出願番号）：特表2018-526830
出願日： 2016年11月04日
公開日（公表日）： 2018年09月13日
要約：
本発明は、半導体装置および半導体装置の製造方法に関し、より詳細には、ダイボンディング工程またはワイヤボンディング工程の際、ある程度過度の力が加えられても、最上部の半導体チップの損傷を防止できる半導体装置および半導体装置の製造方法に関する。
請求項（抜粋）：
基板と、 前記基板上に、第1ダイボンディング層によってダイボンディングされた第1半導体チップと、 前記第1半導体チップ上に、第2ダイボンディング層によってダイボンディングされた第2半導体チップとを含み、 前記第2ダイボンディング層は、前記第2半導体チップの下部領域のうちの、前記第1半導体チップの領域と重ならない領域をモールディングする形で形成される、半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 21/52 ,  H01L 21/56 ,  H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18
FI (5件)：
H01L21/52 A ,  H01L21/52 E ,  H01L21/52 G ,  H01L21/56 R ,  H01L25/08 G
Fターム (9件)：
5F047AA17 ,  5F047AB06 ,  5F047BA21 ,  5F047BA34 ,  5F047BB13 ,  5F061AA01 ,  5F061BA03 ,  5F061CA00 ,  5F061CB03
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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