Si半導体製造装置用サセプタおよびSi半導体製造装置用サセプタの製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人栄光特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-241285
公開番号（公開出願番号）：特開2018-095506
出願日： 2016年12月13日
公開日（公表日）： 2018年06月21日
要約：

【課題】レアメタルを用いることなく、利用しやすい元素のみ構成し、黒鉛の基材から不純物の拡散を防止し、ピンホールなどが発生しにくく、消耗しにくいSi半導体製造装置用サセプタおよびその製造方法を提供する。【解決手段】Si半導体製造装置用サセプタ20は、黒鉛から成る基材4と、基材4を覆うSiC層3と、SiC層3の表面を覆うカーボンナノチューブ1からなるカーボンナノチューブ層2と、を備えている。また、Si半導体製造装置用サセプタ20の製造方法は、黒鉛からなる基材4をCVD炉にいれ、SiC層3を形成するCVD工程と、SiC層3の形成された基材4を熱処理炉に入れ、真空中またはCO雰囲気中で加熱することにより、SiC層3を覆うカーボンナノチューブ1からなるカーボンナノチューブ層2を形成する表面分解工程とを含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

黒鉛からなる基材と、前記基材を覆うSiC層と、前記SiC層の表面を覆うカーボンナノチューブからなるカーボンナノチューブ層と、を備えるSi半導体製造装置用サセプタ。

IPC (7件)：

C04B 41/87 , C23C 16/42 , C01B 32/152 , C01B 32/158 , C01B 32/205 , H01L 21/683 , H01L 21/205

FI (7件)：

C04B41/87 V , C23C16/42 , C01B31/02 101F , C01B31/04 101A , C04B41/87 G , H01L21/68 N , H01L21/205

Fターム (43件)：

4G146AA11 , 4G146AC03A , 4G146AC16B , 4G146AD17 , 4G146AD36 , 4G146BA08 , 4G146BA42 , 4G146BB23 , 4G146BC03 , 4G146BC22 , 4G146BC27 , 4G146BC34A , 4G146BC34B , 4G146BC35A , 4G146BC37B , 4G146BC38A , 4G146BC38B , 4G146CB11 , 4G146CB23 , 4G146CB32 , 4G146CB33 , 4G146CB39 , 4K030BA37 , 4K030DA09 , 4K030GA02 , 4K030KA47 , 5F045AB02 , 5F045BB08 , 5F045EB06 , 5F045EC05 , 5F045EM09 , 5F131AA02 , 5F131BA04 , 5F131CA02 , 5F131CA09 , 5F131CA15 , 5F131EB54 , 5F131EB56 , 5F131EB58 , 5F131EB78 , 5F131EB79 , 5F131JA12 , 5F131JA14

引用特許：

審査官引用 (4件)

気相成長用サセプター及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-016270 出願人：東洋炭素株式会社
サセプタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-018822 出願人：住友金属工業株式会社
転動装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-191241 出願人：日本精工株式会社

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