特許

J-GLOBAL ID：201803009070765333

熱電素子材料とその製造方法

発明者： 岩佐 義宏 ,  ビスリ サトリア ズルカルナエン ,  清水 直
出願人/特許権者： 国立研究開発法人理化学研究所
代理人 (2件)： 堀田 実 ,  野村 俊博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-137453
公開番号（公開出願番号）：特開2018-010917
出願日： 2016年07月12日
公開日（公表日）： 2018年01月18日
要約：

【課題】量子ドットを用いた熱電素子材料において、従来よりも高いパワーファクターが得られるようにする。【解決手段】熱電素子に用いられる熱電素子材料10は、多数の量子ドット7から構成された量子ドット部3を備える。量子ドット部3には、電流の担い手となるキャリア11が存在している。多数の量子ドット7のうち隣接する量子ドット7同士は、互いに分離しているが、キャリア11が量子ドット7間で移動できる程度に近接している。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

熱電素子に用いられる熱電素子材料であって、 多数の量子ドットから構成された量子ドット部を備え、 前記量子ドット部には、電流の担い手となるキャリアが存在しており、 前記多数の量子ドットのうち隣接する量子ドット同士は、互いに分離しているが、前記キャリアが前記量子ドット間で移動できる程度に近接している、熱電素子材料。

IPC (2件)：

H01L 35/26 ,  H01L 35/16

FI (2件)：

H01L35/26 ,  H01L35/16

引用特許：

審査官引用 (2件)

• ナノコンポジット熱電変換材料及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2013-188477   出願人：トヨタ自動車株式会社, 株式会社アドマテックス
• 半導体膜、酸化物微粒子分散液、半導体膜の製造方法、及び、薄膜トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2013-205194   出願人：富士フイルム株式会社

引用文献：

審査官引用 (4件)

• Energy Level Modification in Lead Sulfide Quantum Dot Thin Films through Ligand Exchange
• Low Driving Voltage and High Mobility Ambipolar Field-Effect Transistors with PbS Colloidal Nanocrys
• Thermoelectric Properties of Colloidal Quantum Dot Solids
• Very High Seebeck Coefficient in Ultra-Thin-Film of Colloidal Quantum Dot Solids