特許

J-GLOBAL ID：201503057151327464

半導体膜、酸化物微粒子分散液、半導体膜の製造方法、及び、薄膜トランジスタ

発明者： 小野 雅司 ,  田中 淳 ,  鈴木 真之
出願人/特許権者： 富士フイルム株式会社
代理人 (3件)： 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  福田 浩志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-205194
公開番号（公開出願番号）：特開2015-070204
出願日： 2013年09月30日
公開日（公表日）： 2015年04月13日
要約：

【課題】大気中でも製造可能で且つ高い電気伝導性が得られる半導体膜の提供。【解決手段】In、Zn、Snから選択される少なくとも一種の金属を含む酸化物微粒子の集合体と、酸化物微粒子に配位し、一般式(A)で表される配位子、一般式(B)で表される配位子および一般式(C)で表される配位子から選択される少なくとも一種の配位子と、を有する半導体膜。 〔一般式(A)中、X1、X2は-SH、-NH2、-OH、-COOHを表し、A1、B1は水素原子、原子数1以上10以下の置換基を表す。一般式(B)中、X3、X4は-SH、-NH2、-OH、-COOHを表し、A2、B2は水素原子、原子数1以上10以下の置換基を表す。一般式(C)中、X5は-SH、-NH2、-OHを表し、A3は、水素原子、原子数1以上10以下の置換基を表す。〕【選択図】なし

請求項（抜粋）：

In、ZnおよびSnから選択される少なくとも一種の金属を含む酸化物微粒子の集合体と、 前記酸化物微粒子に配位し、下記一般式(A)で表される配位子、下記一般式(B)で表される配位子、および下記一般式(C)で表される配位子から選択される少なくとも一種の配位子と、 を有する半導体膜。

IPC (2件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618A

Fターム (46件)：

5F110AA07 ,  5F110AA16 ,  5F110BB02 ,  5F110BB03 ,  5F110BB09 ,  5F110BB10 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD12 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE14 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG19 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110QQ14

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 化合物半導体超微粒子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-084553   出願人：住友大阪セメント株式会社
• 記憶素子の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-063862   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 帯電体並びにそれを用いた電界効果トランジスタ及びメモリ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-280686   出願人：日立化成工業株式会社
• 半導体超微粒子及びそれを含有してなる薄膜状成形体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-003269   出願人：三菱化学株式会社
• 半導体超微粒子及び電界発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-111677   出願人：三菱化学株式会社