特許

J-GLOBAL ID：201803009441062420

微細素子およびその製造方法

発明者： 小西 敏文 ,  佐布 晃昭 ,  町田 克之 ,  曽根 正人 ,  チャン ツォーフ マーク ,  チェン チュンイー ,  山根 大輔 ,  益 一哉
出願人/特許権者： エヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジ株式会社 ,  国立大学法人東京工業大学
代理人 (2件)： 山川 茂樹 ,  山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-055730
公開番号（公開出願番号）：特開2018-158394
出願日： 2017年03月22日
公開日（公表日）： 2018年10月11日
要約：

【課題】材料の制限など無く、微細な梁構造の変形や反りが抑制できるようにする。【解決手段】基板101と、基板101の上に形成された第1支持部102と、第1支持部102に固定された梁部103とを備える。梁部103は、固定部103aおよび延在部103bから構成されている。梁部103の固定部103aは、第1支持部102に接続して固定されている。梁部103の延在部103bは、基板101の上に離間して配置されている。また、第2支持部104の上に固定されて第1支持部102の上部の梁部103の上面を押さえる押さえ部105を備える。【選択図】 図1A

請求項（抜粋）：

基板と、 前記基板の上に形成された第1支持部と、 前記第1支持部の上に固定される固定部と前記基板から離間して延在する延在部とを備える梁部と、 前記基板の上に形成された第2支持部と、 前記第2支持部の上に固定されて前記第1支持部の上部の前記梁部の上面を押さえる押さえ部と を備えることを特徴とする微細素子。

IPC (3件)：

B81B 3/00 ,  H01L 29/84 ,  B81C 1/00

FI (3件)：

B81B3/00 ,  H01L29/84 Z ,  B81C1/00

Fターム (30件)：

3C081AA01 ,  3C081AA17 ,  3C081BA43 ,  3C081BA46 ,  3C081BA48 ,  3C081CA03 ,  3C081CA14 ,  3C081CA15 ,  3C081CA26 ,  3C081CA28 ,  3C081CA29 ,  3C081CA30 ,  3C081DA03 ,  3C081DA25 ,  3C081DA27 ,  3C081DA30 ,  3C081DA45 ,  3C081EA02 ,  4M112AA02 ,  4M112BA07 ,  4M112CA23 ,  4M112CA35 ,  4M112DA03 ,  4M112DA04 ,  4M112DA08 ,  4M112DA13 ,  4M112EA02 ,  4M112EA06 ,  4M112EA11 ,  4M112FA09

引用特許：

出願人引用 (4件)

• エアギャップを有するマイクロマシン静電アクチュエータ
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2001-500902   出願人：エムシーエヌシー
• 静電駆動スイッチ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-246434   出願人：日本電信電話株式会社
• 静電容量式加速度センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-067700   出願人：株式会社日立製作所
• 半導体加速度センサ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-305709   出願人：日本電装株式会社

審査官引用 (4件)

• エアギャップを有するマイクロマシン静電アクチュエータ
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2001-500902   出願人：エムシーエヌシー
• 静電駆動スイッチ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-246434   出願人：日本電信電話株式会社
• 静電容量式加速度センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-067700   出願人：株式会社日立製作所
• 半導体加速度センサ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-305709   出願人：日本電装株式会社