特許
J-GLOBAL ID：201803009550978256
試料表面の作製方法、試料表面の分析方法、電界支援酸化用プローブおよびこれを備えた走査型プローブ顕微鏡
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人特許事務所サイクス
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-130792
公開番号（公開出願番号）：特開2018-004403
出願日： 2016年06月30日
公開日（公表日）： 2018年01月11日
要約：
【課題】局所酸化法による試料表面へのマーキング形成方法の有用性を更に高めること。【解決手段】マーキングが形成された試料表面の作製方法であって、前記マーキングは、試料表面に局所的に形成された局所酸化膜であり、前記局所酸化膜を、プローブの先端と前記試料表面とを接触させた状態で前記プローブと試料表面との間に電圧を印加することにより形成し、かつ、前記プローブを、水分供給処理を施した後に前記試料表面と接触させる、前記作製方法。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
マーキングが形成された試料表面の作製方法であって、
前記マーキングは、試料表面に局所的に形成された局所酸化膜であり、
前記局所酸化膜を、プローブの先端と前記試料表面とを接触させた状態で前記プローブと試料表面との間に電圧を印加することにより形成し、かつ、
前記プローブを、水分供給処理を施した後に前記試料表面と接触させる、前記作製方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (9件)：
2G052AA13
, 2G052AB26
, 2G052AB27
, 2G052FD17
, 2G052FD20
, 2G052GA18
, 2G052GA19
, 2G052GA34
, 2G052GA35
審査官引用 (6件)
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特許第3104640号
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半導体ウエハ熱処理装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平5-209909
出願人：三菱商事株式会社, 神鋼パンテツク株式会社, 日本電池株式会社
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ウエハ表面の汚染評価方法および装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願2000-028840
出願人：三菱電機株式会社
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