特許

J-GLOBAL ID：201803009673511263

グラフェンベースの層転写のためのシステム及び方法

発明者： キム ジーファン
出願人/特許権者： マサチューセッツ インスティテュート オブ テクノロジー
代理人 (10件)： 廣田 雅紀 ,  小澤 誠次 ,  東海 裕作 ,  松田 一弘 ,  堀内 真 ,  山内 正子 ,  園元 修一 ,  山村 昭裕 ,  森川 聡 ,  富田 博行
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-512205
公開番号（公開出願番号）：特表2018-535536
出願日： 2016年09月08日
公開日（公表日）： 2018年11月29日
要約：

グラフェンベースの層転写(GBLT)技法が開示される。この手法では、III-V半導体、Si、Ge、III-N半導体、SiC、SiGe、またはII-VI半導体を含むデバイス層がグラフェン層上に作製され、それが次に基板上に配置される。グラフェン層または基板は、デバイス層と格子整合して、デバイス層における欠陥を低減させることができる。作製されたデバイス層は、次いで、例えばデバイス層に付着させたストレッサを介して基板から取り出される。GBLTでは、グラフェン層は、デバイス層を成長させるための再利用可能で普遍的なプラットフォームとしての機能を果たし、また、グラフェン表面での高速で正確な、かつ繰り返し可能な剥離を可能にする剥離層としての機能も果たす。【選択図】図1D

請求項（抜粋）：

第1の基板上にグラフェン層を形成すること; 前記グラフェン層を前記第1の基板から第2の基板に転写すること;及び 前記グラフェン層上に単結晶膜を形成すること を含む、半導体デバイスの製造方法。

IPC (11件)：

H01L 21/20 ,  C30B 29/02 ,  C30B 25/18 ,  C01B 32/186 ,  C01B 32/194 ,  C23C 16/01 ,  C23C 16/34 ,  C23C 14/14 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/02

FI (11件)：

H01L21/20 ,  C30B29/02 ,  C30B25/18 ,  C01B32/186 ,  C01B32/194 ,  C23C16/01 ,  C23C16/34 ,  C23C14/14 D ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/78 627D ,  H01L21/02 B

Fターム (98件)：

4G077AA03 ,  4G077BA02 ,  4G077BA04 ,  4G077BA05 ,  4G077BE05 ,  4G077BE08 ,  4G077BE15 ,  4G077BE31 ,  4G077BE41 ,  4G077DB08 ,  4G077ED06 ,  4G077EF02 ,  4G077HA06 ,  4G077TA04 ,  4G077TB05 ,  4G077TK01 ,  4G077TK08 ,  4G077TK11 ,  4G146AA01 ,  4G146AB07 ,  4G146AC01A ,  4G146AD03 ,  4G146AD06 ,  4G146AD30 ,  4G146BB23 ,  4G146BC09 ,  4G146CB01 ,  4G146CB19 ,  4G146CB29 ,  4K029AA02 ,  4K029AA04 ,  4K029AA24 ,  4K029BA12 ,  4K029CA01 ,  4K029EA03 ,  4K029GA05 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA09 ,  4K030BA10 ,  4K030BA11 ,  4K030BA12 ,  4K030BA27 ,  4K030BA29 ,  4K030BA37 ,  4K030BA38 ,  4K030BA42 ,  4K030BA48 ,  4K030BA50 ,  4K030BA51 ,  4K030BA54 ,  4K030BA55 ,  4K030BA56 ,  4K030BA61 ,  4K030BB02 ,  4K030BB03 ,  4K030BB12 ,  4K030CA02 ,  4K030CA04 ,  4K030CA05 ,  4K030CA06 ,  4K030CA12 ,  4K030DA02 ,  4K030DA03 ,  4K030DA08 ,  4K030FA10 ,  4K030HA03 ,  4K030JA10 ,  4K030JA12 ,  4K030LA15 ,  4K030LA16 ,  5F110CC01 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110FF01 ,  5F110GG04 ,  5F110GG19 ,  5F110GG41 ,  5F110QQ16 ,  5F152LL05 ,  5F152LP01 ,  5F152LP09 ,  5F152MM05 ,  5F152MM08 ,  5F152MM10 ,  5F152MM11 ,  5F152NN05 ,  5F152NP17 ,  5F152NQ02 ,  5F152NQ03 ,  5F152NQ04 ,  5F152NQ05 ,  5F152NQ06 ,  5F152NQ09 ,  5F152NQ10

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 窒化物半導体層の剥離方法、半導体装置の製造方法、及び半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-148455   出願人：株式会社沖データ, 株式会社沖デジタルイメージング
• 窒化物半導体基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2013-121751   出願人：日本電信電話株式会社