窒化物半導体層の剥離方法、半導体装置の製造方法、及び半導体装置

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出願人/特許権者： ,
代理人 (2件)：磯野道造 , 伊藤政幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-148455
公開番号（公開出願番号）：特開2011-009268
出願日： 2009年06月23日
公開日（公表日）： 2011年01月13日
要約：

【課題】第1基板から窒化物半導体層を容易に剥離する。【解決手段】SiC基板101の表面で単層又は複数層のグラフェン層111が成長する工程と、グラフェン層との界面で、共有結合性を有することなく、原子レベルのポテンシャルの規則性のみを用いた結合力を伴って窒化物半導体層114が形成される工程と、窒化物半導体層114とグラフェン層111aとの間、あるいはグラフェン層相互間111a,111b,111cのポテンシャルによる接合力以上の力で、窒化物半導体層がSiC基板から剥離される工程とを備える。また、剥離された窒化物半導体層が第2基板130の表面に接合される。【選択図】図19

請求項（抜粋）：

第1基板の表面で単層又は複数層のグラフェン層が成長する工程と、前記グラフェン層との界面で、共有結合性を有することなく、原子レベルのポテンシャルの規則性のみを用いた結合力を伴って窒化物半導体層が形成される工程と、前記窒化物半導体層と前記グラフェン層との間、あるいは前記グラフェン層相互間のポテンシャルによる接合力以上の力で、前記窒化物半導体層が前記第1基板から剥離される工程とを備えることを特徴とする窒化物半導体層の剥離方法。

IPC (9件)：

H01L 21/20 , H01L 33/32 , H01L 31/10 , H01S 5/343 , H01L 21/205 , H01L 29/812 , H01L 29/778 , H01L 21/338 , H01L 21/02

FI (7件)：

H01L21/20 , H01L33/00 186 , H01L31/10 A , H01S5/343 610 , H01L21/205 , H01L29/80 H , H01L21/02 B

Fターム (69件)：

5F041AA31 , 5F041CA04 , 5F041CA05 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA65 , 5F041CA66 , 5F041CA73 , 5F041CA74 , 5F041CA77 , 5F045AA04 , 5F045AA18 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AF02 , 5F045CA02 , 5F045CA07 , 5F045CA11 , 5F045CA12 , 5F045DA53 , 5F049MA04 , 5F049MA13 , 5F049MB07 , 5F049NA20 , 5F049PA03 , 5F049PA04 , 5F049PA11 , 5F049PA14 , 5F049PA20 , 5F049QA20 , 5F049SS03 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ02 , 5F102GJ10 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GQ01 , 5F102HC01 , 5F152LL05 , 5F152LL09 , 5F152LN03 , 5F152LP01 , 5F152LP09 , 5F152MM05 , 5F152MM10 , 5F152MM12 , 5F152MM16 , 5F152NN03 , 5F152NN05 , 5F152NN12 , 5F152NN13 , 5F152NN14 , 5F152NN16 , 5F152NN19 , 5F152NN20 , 5F152NP13 , 5F152NP14 , 5F152NQ09 , 5F173AG20 , 5F173AH22 , 5F173AH49 , 5F173AP05 , 5F173AP33 , 5F173AP61 , 5F173AQ02 , 5F173AQ03 , 5F173AR99

引用特許：

審査官引用 (7件)

窒化物系III-V族化合物半導体の成長方法、半導体装置の製造方法、窒化物系III-V族化合物半導体成長用基板および窒化物系III-V族化合物半導体成長用基板の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-043456 出願人：ソニー株式会社
半導体装置、該半導体装置の製造方法、LEDヘッド、及び画像形成装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-105971 出願人：株式会社沖データ, 株式会社沖デジタルイメージング
電子デバイス用基板およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-136262 出願人：日本電信電話株式会社

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