特許

J-GLOBAL ID：201803009687975424

大気圧プラズマによる準備工程を使用するエピタキシャル成長

発明者： シュルツ エリック
出願人/特許権者： オントス イクイップメント システムズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 名古屋国際特許業務法人
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-508734
公開番号（公開出願番号）：特表2018-532258
出願日： 2016年08月17日
公開日（公表日）： 2018年11月01日
要約：

CMP工程後かつエピタキシャル成長工程前に、大気圧プラズマによって基板を準備し、これは、還元反応だけではなく、化学的に不活性なキャリアガスの準安定状態も含む。これにより、残留物、酸化物、及び/又は汚染物質が除去される。任意選択的に、後のエピタキシャル成長のために基板表面が不活性化されるように、大気条件下で窒素を用いた不活性化も行われる。

請求項（抜粋）：

結晶基板上に結晶薄膜をエピタキシャル成長させるプロセスであって、 a)前記結晶基板上に原子レベルで整った結晶表面を形成する工程と、 b)グロー放電及びダウンストリームを介して、活性化された準安定状態の希ガスと1つ以上の不安定な反応性化学種とを含む活性化された混合ガスを、大気圧下で前記結晶基板の表面上に流す工程であって、これにより、前記整った結晶表面から、該結晶表面の原子配列を乱すことなく、残留物及び/又は酸化を除去する、流す工程と、 c)大気には開放されていない反応容器内に前記結晶基板を閉じ込める工程、及び、基板結晶性の結晶性拡張として、結晶性材料からなる層を前記整った結晶表面上に堆積する工程と を含むプロセス。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/304

FI (3件)：

H01L21/205 ,  H01L21/302 102 ,  H01L21/304 645C

Fターム (55件)：

4K029AA04 ,  4K029BB09 ,  4K029BD01 ,  4K029FA04 ,  4K029FA05 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030DA03 ,  4K030LA14 ,  5F004AA06 ,  5F004AA14 ,  5F004BA20 ,  5F004BB13 ,  5F004BB24 ,  5F004BD07 ,  5F004DA00 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F045AA03 ,  5F045AB22 ,  5F045AB23 ,  5F045AB24 ,  5F045AC14 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045AD04 ,  5F045AE29 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045BB14 ,  5F045GH03 ,  5F045HA03 ,  5F157AA23 ,  5F157AA24 ,  5F157AA34 ,  5F157AA36 ,  5F157AA62 ,  5F157AA77 ,  5F157AA84 ,  5F157AA96 ,  5F157AB02 ,  5F157AB33 ,  5F157AC01 ,  5F157AC13 ,  5F157BG32 ,  5F157BG35 ,  5F157BG36 ,  5F157BG37 ,  5F157BG72 ,  5F157BG75 ,  5F157BG86 ,  5F157BG94 ,  5F157DB18 ,  5F157DB55

引用特許：

審査官引用 (3件)

• III族窒化物半導体の加工方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-002576   出願人：シャープ株式会社, 森勇蔵
• 炭化珪素半導体装置の製造方法および炭化珪素半導体装置の製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-261323   出願人：住友電気工業株式会社
• 放電プラズマ処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-200835   出願人：積水化学工業株式会社