炭化珪素半導体装置の製造方法および炭化珪素半導体装置の製造装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人深見特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-261323
公開番号（公開出願番号）：特開2012-114210
出願日： 2010年11月24日
公開日（公表日）： 2012年06月14日
要約：

【課題】薬液に関する問題を低減するとともに、洗浄効果を高めるSiC半導体装置の製造方法およびSiC半導体装置の製造装置を提供する。【解決手段】SiC半導体装置の製造方法は、SiCの表面に酸化膜を形成する工程(ステップS3)と、酸化膜を除去する工程(ステップS5)とを備え、酸化膜を形成する工程(ステップS3)では、オゾンガスを用いる。酸化膜を除去する工程(ステップS5)では、ハロゲンプラズマまたは水素プラズマを用いることが好ましい、【選択図】図2

請求項（抜粋）：

炭化珪素半導体の表面に酸化膜を形成する工程と、前記酸化膜を除去する工程とを備え、前記酸化膜を形成する工程では、オゾンガスを用いる、炭化珪素半導体装置の製造方法。

IPC (7件)：

H01L 21/304 , H01L 21/28 , H01L 29/12 , H01L 29/78 , H01L 21/336 , H01L 21/31 , H01L 21/306

FI (10件)：

H01L21/304 645C , H01L21/28 A , H01L21/28 301B , H01L29/78 652T , H01L29/78 658G , H01L29/78 658F , H01L29/78 658E , H01L21/31 E , H01L21/302 102 , H01L21/306 D

Fターム (55件)：

4M104AA03 , 4M104BB05 , 4M104DD22 , 4M104DD78 , 4M104FF02 , 4M104GG09 , 5F004AA14 , 5F004BA20 , 5F004BD07 , 5F004DA24 , 5F004DB03 , 5F004EB08 , 5F004FA01 , 5F004FA02 , 5F043AA31 , 5F043BB22 , 5F043FF10 , 5F043GG10 , 5F045AA20 , 5F045AB32 , 5F045AC11 , 5F045AC15 , 5F045AC16 , 5F045AC17 , 5F045AD04 , 5F045AD05 , 5F045AD06 , 5F045AD07 , 5F045AD08 , 5F045AD09 , 5F045AE13 , 5F045AE15 , 5F045AE17 , 5F045AF02 , 5F045BB14 , 5F045CA05 , 5F045EB08 , 5F045EB13 , 5F045HA05 , 5F045HA13 , 5F045HA16 , 5F157AA73 , 5F157AA77 , 5F157AC01 , 5F157AC13 , 5F157BB01 , 5F157BB73 , 5F157BG32 , 5F157BG35 , 5F157BG76 , 5F157CB03 , 5F157CB13 , 5F157CE62 , 5F157DA21 , 5F157DB37

引用特許：

審査官引用 (3件)

炭化珪素半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-309723 出願人：三菱電機株式会社
SiC単結晶基板の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-343098 出願人：新日本製鐵株式会社
SiC単結晶基板の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-295589 出願人：株式会社NEOMAX

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