特許
J-GLOBAL ID：201803009735426438
光電変換装置および撮像システム
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
阿部 琢磨
, 黒岩 創吾
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-080805
公開番号（公開出願番号）：特開2014-204043
特許番号：特許第6238546号
出願日： 2013年04月08日
公開日（公表日）： 2014年10月27日
請求項（抜粋）：
【請求項1】1つのマイクロレンズ及び複数の光電変換素子を含む光電変換ユニットを、複数有する光電変換装置において、
前記複数の光電変換ユニットは、各光電変換ユニットに含まれる前記複数の光電変換素子の信号を加算して得られた信号により撮像が行われ、前記複数の光電変換素子の信号の少なくとも一つの信号を用いることで焦点検出が行われるように構成され、
前記複数の光電変換素子は信号電荷を収集する第1導電型の第1半導体領域を含み、
前記複数の光電変換ユニットに含まれ互いに隣接して配置された2つの光電変換素子の第1半導体領域の間には、第2導電型の第2半導体領域が配され、
前記第1半導体領域は各々が異なる深さに配された複数の不純物濃度ピークを有し、
前記第2半導体領域は各々が異なる深さに配された複数の不純物濃度ピークを有し、
前記第1半導体領域の複数の不純物濃度ピークは、
第1不純物濃度ピークと、
前記第1不純物濃度ピークよりも不純物濃度が低い第2不純物濃度ピークと、を含み、
前記第2半導体領域の複数の不純物濃度ピークは、
第3不純物濃度ピークと、
前記第3不純物濃度ピークよりも不純物濃度が高く、且つ前記第3不純物濃度ピークよりも表面側に配された第4不純物濃度ピークと、
前記第3不純物濃度ピークよりも不純物濃度が高く、且つ前記第3不純物濃度ピークよりも深い位置に配された第5不純物濃度ピークと、を含み、
前記第3不純物濃度ピークが配される深さは、前記第1不純物濃度ピークが配される深さに比べて、前記第2不純物濃度ピークが配される深さに近いことを特徴とする光電変換装置。
IPC (2件)：
H01L 27/146 ( 200 6.01)
, H04N 5/369 ( 201 1.01)
H01L 27/146 A
, H04N 5/369
