発光ダイオードパッケージ

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人高橋・林アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-062421
公開番号（公開出願番号）：特開2018-101814
出願日： 2018年03月28日
公開日（公表日）： 2018年06月28日
要約：

【課題】発光ダイオードパッケージを開示する。【解決手段】発光ダイオードパッケージは、基板と、基板の上部に位置する発光構造体と、基板の下部に位置する交互積層下部構造体とを含み、交互積層下部構造体は、Ti及びOを含む層とSi及びOを含む層との交互積層構造体であって、この順に隣接する第1領域、第2領域、及び第3領域に区分され、第1領域、第2領域、及び第3領域は、いずれも、Ti及びOを含む層を少なくとも2層以上含み、かつ、Si及びOを含む層を少なくとも2層以上含み、第1領域を構成する層は、400nm以上700nm以下の特定の波長λに対して、いずれもλ/4より小さい光学厚さを有し、第3領域を構成する層は、いずれも、前記λ/4より大きい光学厚さを有し、第2領域を構成する層は、λ/4より小さい光学厚さを有する層と、λ/4より大きい光学厚さを有する層とを含む発光ダイオードチップを有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板の上部に位置し、第1の導電型半導体層、第2の導電型半導体層、及び前記第1の導電型半導体層と前記第2の導電型半導体層との間に介在した活性層を含む発光構造体と、前記基板の下部に位置する交互積層下部構造体とを含み、前記交互積層下部構造体は、Ti及びOを含む層とSi及びOを含む層との交互積層構造体であり、前記交互積層下部構造体は、この順に隣接する第1領域、第2領域、及び第3領域に区分され、前記第1領域、前記第2領域、及び前記第3領域は、いずれも、前記Ti及びOを含む層を少なくとも2層以上含み、かつ、前記Si及びOを含む層を少なくとも2層以上含み、前記第1領域を構成する層は、いずれも、400nm以上700nm以下の特定の波長λに対して、λ/4より小さい光学厚さを有し、前記第3領域を構成する層は、いずれも、前記λ/4より大きい光学厚さを有し、前記第2領域を構成する層は、前記λ/4より小さい光学厚さを有する層と、前記λ/4より大きい光学厚さを有する層とを含む、発光ダイオードチップを有する発光ダイオードパッケージ。

IPC (2件)：

H01L 33/46 , H01L 33/48

FI (2件)：

H01L33/46 , H01L33/48

Fターム (26件)：

5F142BA24 , 5F142CA02 , 5F142CB18 , 5F142CC04 , 5F142CC26 , 5F142CD17 , 5F142CE02 , 5F142CE16 , 5F142CG01 , 5F142DA02 , 5F142DA12 , 5F142HA01 , 5F241AA03 , 5F241BB04 , 5F241BB14 , 5F241CA04 , 5F241CA05 , 5F241CA12 , 5F241CA40 , 5F241CA65 , 5F241CA66 , 5F241CA88 , 5F241CB15 , 5F241CB23 , 5F241FF01 , 5F241FF11

引用特許：

出願人引用 (8件)

発光ダイオードチップ及びそれを製造する方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2013-545995 出願人：ソウルバイオシスカンパニーリミテッド
半導体発光素子および発光ランプ
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-069421 出願人：三洋電機株式会社
特開平4-328877

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