特許
J-GLOBAL ID：201803010056191926

半導体装置の製造方法

発明者：
長江 義晴

長江 義晴 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


代理人 (1件)： 新樹グローバル・アイピー特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-126244
公開番号（公開出願番号）：特開2018-006362
出願日： 2016年06月27日
公開日（公表日）： 2018年01月11日
要約：
【課題】支持台上に基板を載置する際に、基板がずれることを抑制する。【解決手段】 下面が平坦であり、半導体素子を載置可能な上面、または半導体素子が載置された上面を備える基板を準備する工程と、基板が載置される平坦な支持面を備えた支持台と、支持面側に配置され上下方向に可動な複数の支持ピンと、を備えた作業台を準備する工程と、支持ピンの先端部に前記基板の下面を当接させて支持ピンを押し下げ、基板の下面を支持台の支持面に当接させる工程と、基板を、支持面の上に固定させた後に、基板に対して作業を行う工程と、を備える半導体装置の製造方法。【選択図】図1A
請求項（抜粋）：
下面が平坦であり、半導体素子を載置可能な上面、または半導体素子が載置された上面を備える基板を準備する工程と、 前記基板が載置される平坦な支持面を備えた支持台と、前記支持面側に配置され上下方向に可動な複数の支持ピンと、を備えた作業台を準備する工程と、 前記支持ピンの先端部に前記基板の下面を当接させて前記支持ピンを押し下げ、前記基板の下面を前記支持台の前記支持面に当接させる工程と、 前記基板を、前記支持面の上に固定させた後に、前記基板に対して作業を行う工程と、 を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/683 ,  H01L 21/60 ,  H01L 21/52
FI (3件)：
H01L21/68 N ,  H01L21/60 301K ,  H01L21/52 F
Fターム (16件)：
5F044BB20 ,  5F044BB22 ,  5F047FA31 ,  5F131AA02 ,  5F131AA04 ,  5F131BA54 ,  5F131CA18 ,  5F131DA33 ,  5F131DA42 ,  5F131EA23 ,  5F131EB52 ,  5F131EB72 ,  5F131EB78 ,  5F131KA14 ,  5F131KB32 ,  5F131KB53
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (4件)
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