特許
J-GLOBAL ID：201803010167444165

半導体装置およびその製造方法

発明者：
木村 佳敬

木村 佳敬 について

, 
鈴木 裕一郎

鈴木 裕一郎 について

, 
田口 健介

田口 健介 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (2件)： 山田 卓二 ,  中野 晴夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-078699
公開番号（公開出願番号）：特開2018-129537
出願日： 2018年04月16日
公開日（公表日）： 2018年08月16日
要約：
【課題】ターミネーション領域に配置されたフィールドプレートを覆う絶縁膜の上端部の角部への電界集中を防ぎ、絶縁膜表面の空気中で火花放電を抑制した半導体装置を提供する。【解決手段】半導体基板に設けられた能動領域と、能動領域の周囲に設けられたターミネーション領域とを含む半導体装置が、ターミネーション領域は、半導体基板の上に設けられた層間絶縁膜と、層間絶縁膜の上に設けられたフィールドプレートと、フィールドプレートを覆うように形成された表面絶縁膜とを含み、フィールドプレートの上面と斜面との間の角度αが、フィールドプレートの上面と斜面とを覆う表面絶縁膜の上面と斜面との間の角度βに対して、α<βの関係を満たす。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
半導体基板に設けられた能動領域と、該能動領域の周囲に設けられたターミネーション領域とを含む半導体装置であって、該ターミネーション領域は、 該半導体基板の上に設けられた層間絶縁膜と、 該層間絶縁膜の上に設けられたフィールドプレートと、 該フィールドプレートを覆うように形成された表面絶縁膜とを含み、 該フィールドプレートの上面と斜面との間の角度αが、該フィールドプレートの上面と斜面とを覆う該表面絶縁膜の上面と斜面との間の角度βに対して、α<βの関係を満たすことを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 29/861 ,  H01L 29/868 ,  H01L 29/06 ,  H01L 21/329
FI (5件)：
H01L29/91 D ,  H01L29/06 301F ,  H01L29/06 301V ,  H01L29/91 B ,  H01L29/06 301R
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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