特許
J-GLOBAL ID：201203079051210359

半導体装置の製造方法、及び半導体装置

発明者：
小笠原 淳

小笠原 淳 について

, 
松崎 欣史

松崎 欣史 について


出願人/特許権者：
新電元工業株式会社

新電元工業株式会社 について


代理人 (6件)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  渡邊 隆 ,  鈴木 三義 ,  西 和哉 ,  村山 靖彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-130412
公開番号（公開出願番号）：特開2011-258662
出願日： 2010年06月07日
公開日（公表日）： 2011年12月22日
要約：
【課題】本発明は、MPS構造の半導体装置において、逆方向特性の漏れ電流を低減できる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】第1の導電型の半導体と金属層がオーミック接合するオーミック接合部と、第2の導電型の半導体と金属層がショットキ接合するショットキ接合部とを備える半導体装置の製造方法は、オーミック接合部がオーミック接合可能な膜厚範囲で薄くした膜厚によって、金属層を形成する金属層形成工程(ステップS101、S102)と、金属層の一部を覆って保護する絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程(ステップS103、S104)と、絶縁膜形成工程(ステップS103、S104)の後に、絶縁膜をベークすると共に、オーミック接合部の金属層をシリサイド化させる熱処理工程(ステップS105)とを有する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
第1の導電型の半導体と金属層がオーミック接合するオーミック接合部と、第2の導電型の半導体と前記金属層がショットキ接合するショットキ接合部とを備える半導体装置の製造方法であって、 前記オーミック接合部がオーミック接合可能な膜厚範囲で薄くした膜厚によって、前記金属層を形成する金属層形成工程と、 前記金属層の一部を覆って保護する絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、 前記絶縁膜形成工程の後に、前記絶縁膜をベークすると共に、前記オーミック接合部の前記金属層をシリサイド化させる熱処理工程と を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 29/861 ,  H01L 29/47 ,  H01L 29/872 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/329
FI (6件)：
H01L29/91 K ,  H01L29/91 C ,  H01L29/48 F ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/28 301S ,  H01L29/91 A
Fターム (12件)：
4M104BB02 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD26 ,  4M104DD63 ,  4M104DD78 ,  4M104DD84 ,  4M104GG02 ,  4M104GG03
引用特許：
出願人引用 (4件)
  • 半導体装置及びその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-317497   出願人：トヨタ自動車株式会社, 株式会社デンソー, 株式会社豊田中央研究所
  • ダイオード
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-057024   出願人：株式会社豊田中央研究所, トヨタ自動車株式会社, 株式会社デンソー
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-106165   出願人：新電元工業株式会社
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審査官引用 (4件)
  • 半導体装置及びその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-317497   出願人：トヨタ自動車株式会社, 株式会社デンソー, 株式会社豊田中央研究所
  • ダイオード
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-057024   出願人：株式会社豊田中央研究所, トヨタ自動車株式会社, 株式会社デンソー
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-106165   出願人：新電元工業株式会社
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