特許
J-GLOBAL ID：201803010348897382
SiC焼結体の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
特許業務法人サクラ国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-116796
公開番号（公開出願番号）：特開2017-222520
出願日： 2016年06月13日
公開日（公表日）： 2017年12月21日
要約：
【課題】耐食性を向上可能な、SiC焼結体の製造方法の提供。【解決手段】スラリー作製工程と焼結工程とを有し、スラリー作製工程では、SiC粉末と焼結助剤粉末とを含むスラリーを作製し、焼結工程では、スラリーを焼結することによってSiC焼結体を得るSiC焼結体の製造方法。但し、焼結助剤粉末は、Al2O3とY2O3とを含み、Al2O3の重量XとY2O3の重量Yとが下記式(A)に示す関係にある。37/63≦X/Y≦44/56・・・式(A)【選択図】図1
請求項（抜粋）：
SiC粉末と焼結助剤粉末とを含むスラリーを作製するスラリー作製工程と、
前記スラリーを焼結することによってSiC焼結体を得る焼結工程と
を有し、
前記スラリーにおいて、前記焼結助剤粉末は、Al2O3とY2O3とを含み、Al2O3の重量XとY2O3の重量Yとが下記式(A)に示す関係にある SiC焼結体の製造方法。
37/63≦X/Y≦44/56 ・・・式(A)
IPC (4件)：
C04B 35/565
, C04B 35/80
, G21C 3/06
, G21C 5/00
C04B35/56 101F
, C04B35/56 101B
, C04B35/56 101L
, C04B35/80 C
, G21C3/06 Z
, G21C5/00 C
4G001BA03
, 4G001BA09
, 4G001BA22
, 4G001BA86
, 4G001BB03
, 4G001BB09
, 4G001BB22
, 4G001BB86
, 4G001BC52
, 4G001BC55
, 4G001BD37
