特許

J-GLOBAL ID：201803010483977035

半導体装置

発明者： 磯部 敦生 ,  荒井 康行
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-148373
公開番号（公開出願番号）：特開2016-208052
特許番号：特許第6235660号
出願日： 2016年07月28日
公開日（公表日）： 2016年12月08日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 容量素子の第1の電極と、 前記第1の電極上方の、第1の絶縁膜及び第2の絶縁膜と、 前記第1の絶縁膜上方のトランジスタと、 前記第2の絶縁膜上方の、前記容量素子の第2の電極と、を有し、 前記トランジスタは、チャネルが形成される金属酸化物層と、ソース電極又はドレイン電極として機能する導電膜と、を有し、 前記金属酸化物層は、前記導電膜を介して前記第2の電極と電気的に接続され、 前記導電膜は、前記第2の絶縁膜の側面を覆っていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/8242 ( 200 6.01) ,  H01L 27/108 ( 200 6.01)

FI (3件)：

H01L 27/108 671 Z ,  H01L 27/108 321 ,  H01L 27/108 621 Z

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-087045   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-104884   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-154541   出願人：三洋電機株式会社