特許
J-GLOBAL ID：201203058162896333

半導体装置

発明者：
齋藤 利彦

齋藤 利彦 について

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松嵜 隆徳

松嵜 隆徳 について

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長塚 修平

長塚 修平 について

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井上 広樹

井上 広樹 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-104884
公開番号（公開出願番号）：特開2011-258303
出願日： 2011年05月10日
公開日（公表日）： 2011年12月22日
要約：
【課題】電力が供給されない状況でも記憶内容の長時間にわたる保持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い、新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする。【解決手段】第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、を含む複数のメモリセルと、増幅回路と、スイッチ素子と、を含む読み出し回路と、リフレッシュ制御回路と、を有し、第1のチャネル形成領域と第2のチャネル形成領域は、異なる材料を主成分として構成され、第1のゲート電極と、第2のソース電極および第2のドレイン電極の一方は電気的に接続され、第2のソース電極および第2のドレイン電極の他方と、増幅回路の入力端子の一は電気的に接続され、増幅回路の出力端子は、スイッチ素子を介して第2のソース電極および第2のドレイン電極の他方と接続され、スイッチ素子の導通状態または非導通状態は、リフレッシュ制御回路によって制御される半導体装置である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、を含む複数のメモリセルと、増幅回路と、スイッチ素子と、を含む読み出し回路と、リフレッシュ制御回路と、を有し、 前記第1のトランジスタは、第1のチャネル形成領域と、第1のゲート電極と、前記第1のチャネル形成領域と前記第1のゲート電極の間の第1のゲート絶縁層と、前記第1のチャネル形成領域と電気的に接続する第1のソース電極および第1のドレイン電極と、を含み、 前記第2のトランジスタは、第2のチャネル形成領域と、第2のゲート電極と、前記第2のチャネル形成領域と前記第2のゲート電極の間の第2のゲート絶縁層と、前記第2のチャネル形成領域と電気的に接続する第2のソース電極および第2のドレイン電極と、を含み、 前記第1のチャネル形成領域と前記第2のチャネル形成領域は、異なる材料を主成分として構成され、 前記第1のゲート電極と、前記第2のソース電極および前記第2のドレイン電極の一方は電気的に接続され、 前記第2のソース電極および前記第2のドレイン電極の他方と、増幅回路の入力端子の一は電気的に接続され、 前記増幅回路の出力端子は、前記スイッチ素子を介して前記第2のソース電極および前記第2のドレイン電極の他方と接続され、 前記スイッチ素子の導通状態または非導通状態は、前記リフレッシュ制御回路によって制御される半導体装置。
IPC (9件)：
G11C 11/403 ,  H01L 29/786 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/115 ,  H01L 27/10 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  G11C 11/405
FI (9件)：
G11C11/34 363M ,  H01L29/78 613B ,  H01L29/78 618B ,  H01L27/10 321 ,  H01L27/10 434 ,  H01L27/10 481 ,  H01L27/10 471 ,  H01L29/78 371 ,  G11C11/34 352B
Fターム (139件)：
5F083AD02 ,  5F083AD14 ,  5F083AD69 ,  5F083EP02 ,  5F083EP22 ,  5F083EP30 ,  5F083ER01 ,  5F083GA01 ,  5F083GA06 ,  5F083GA11 ,  5F083GA21 ,  5F083HA06 ,  5F083HA10 ,  5F083JA02 ,  5F083JA05 ,  5F083JA06 ,  5F083JA12 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA42 ,  5F083JA44 ,  5F083JA60 ,  5F083LA03 ,  5F083LA10 ,  5F101BA01 ,  5F101BB02 ,  5F101BC20 ,  5F101BD02 ,  5F101BD07 ,  5F101BD30 ,  5F101BE07 ,  5F110AA01 ,  5F110AA06 ,  5F110BB01 ,  5F110BB06 ,  5F110BB08 ,  5F110BB11 ,  5F110CC02 ,  5F110CC05 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE31 ,  5F110EE38 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF07 ,  5F110FF09 ,  5F110FF23 ,  5F110FF25 ,  5F110FF26 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG06 ,  5F110GG07 ,  5F110GG12 ,  5F110GG15 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG32 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG35 ,  5F110GG43 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ01 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK05 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110HK35 ,  5F110HK40 ,  5F110HL01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL08 ,  5F110HL11 ,  5F110HL12 ,  5F110HL22 ,  5F110HL23 ,  5F110HL24 ,  5F110HM03 ,  5F110HM15 ,  5F110HM17 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN62 ,  5F110NN65 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ08 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ19 ,  5M024AA04 ,  5M024AA06 ,  5M024AA94 ,  5M024BB02 ,  5M024BB22 ,  5M024CC02 ,  5M024EE05 ,  5M024EE23 ,  5M024GG06 ,  5M024HH11 ,  5M024HH16 ,  5M024PP01
引用特許：
審査官引用 (13件)
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