特許
J-GLOBAL ID：201803010910162501
薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人 小笠原特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-260343
公開番号（公開出願番号）：特開2015-118994
特許番号：特許第6264015号
出願日： 2013年12月17日
公開日（公表日）： 2015年06月25日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板と、ゲート電極と、ゲート絶縁体と、チャンネル層を構成するIn-Ga-Zn-O系の半導体層と、当該半導体層を被覆する保護層とを有するボトムゲート型の薄膜トランジスタにおいて、
前記保護層の上部に、絶縁性のPmを除く希土類水素化物を含む絶縁層が設けられていることを特徴とする、薄膜トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 29/786 ( 200 6.01)
, H01L 21/316 ( 200 6.01)
H01L 29/78 619 A
, H01L 29/78 618 B
, H01L 21/316 M
