特許
J-GLOBAL ID：201803011059522350

半導体装置

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について

, 
郷戸 宏充

郷戸 宏充 について

, 
河江 大輔

河江 大輔 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-106804
公開番号（公開出願番号）：特開2018-148232
出願日： 2018年06月04日
公開日（公表日）： 2018年09月20日
要約：
【課題】酸化物半導体を用いた絶縁ゲート型トランジスタに関し、短チャネル効果を極力抑えることのできる構成を提供する。【解決手段】絶縁ゲート型トランジスタのチャネル領域を形成する酸化物半導体層に、脱水または脱水素化の工程及び酸素を添加する工程を施してキャリア濃度が1×1012/cm3未満となる真性又は実質的に真性な半導体を使用し、酸化物半導体層に形成されるチャネルの長さが0.2μm以上3.0μm以下であって、酸化物半導体層の厚さが15nm以上30nm以下で、かつゲート絶縁層の厚さが20nm以上50nm以下もしくは、酸化物半導体層の厚さが15nm以上100nm以下で、かつゲート絶縁層の厚さが10nm以上20nm以下とすることで短チャネル効果を抑え、上記チャネル長の範囲でしきい値の変動量を0.5V未満とすることができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ゲート電極層と、 前記ゲート電極層と重なる領域を有する、ゲート絶縁層と、 前記ゲート絶縁層を介して、前記ゲート電極層と重なる領域を有する、酸化物半導体層と、 前記酸化物半導体層と重なる領域を有する、ソース電極層と、 前記酸化物半導体層と重なる領域を有する、ドレイン電極層と、 前記酸化物半導体層と接する領域を有する、酸化物絶縁層と、を有し、 前記酸化物半導体層の膜厚は、15nm以上100nm以下であり、 前記ゲート絶縁層の膜厚は、10nm以上20nm以下であり、 前記ゲート電極層に印加するゲート電圧を-6V〜+6Vとし、ドレイン電圧を0.1Vとしたときのしきい値電圧の変動量は、0.5V未満であることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136
FI (3件)：
H01L29/78 618B ,  H01L29/78 617S ,  G02F1/1368
Fターム (86件)：
2H192AA24 ,  2H192CB02 ,  2H192CB05 ,  2H192CB08 ,  2H192CB37 ,  2H192CB52 ,  2H192CB83 ,  2H192CC32 ,  2H192CC72 ,  2H192EA74 ,  2H192EA76 ,  2H192HA13 ,  2H192HA14 ,  2H192HA47 ,  2H192HA90 ,  5F110AA06 ,  5F110AA08 ,  5F110AA14 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD07 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE30 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF05 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110FF36 ,  5F110FF40 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG16 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG35 ,  5F110GG43 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK24 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN34 ,  5F110NN39 ,  5F110NN40 ,  5F110PP01 ,  5F110PP02 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110PP29 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ09
引用特許：
出願人引用 (6件)
  • 半導体装置の作製方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-311892   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-147765   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
  • 酸化亜鉛系トランジスタ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-055823   出願人：学校法人大阪工大摂南大学
全件表示
審査官引用 (6件)
  • 半導体装置の作製方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-311892   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-147765   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
  • 酸化亜鉛系トランジスタ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-055823   出願人：学校法人大阪工大摂南大学
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM