特許

J-GLOBAL ID：201803011189537252

金属化合物結晶性膜およびその製造方法

発明者： 大友 明 ,  吉松 公平 ,  呉 東広平
出願人/特許権者： 国立大学法人東京工業大学
代理人 (5件)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  小林 良博 ,  蛯谷 厚志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-154759
公開番号（公開出願番号）：特開2018-020946
出願日： 2016年08月05日
公開日（公表日）： 2018年02月08日
要約：

【課題】本発明によれば、低コストで、面内方位の分散が小さい、高品質の金属酸化物等の金属化合物結晶性膜を提供する。【解決手段】面内に異方性を有し、かつ表面が非晶質である基板上の金属化合物結晶性膜であって;化合物が酸化物または窒化物であり;かつ面内結晶方位の分散が30度以下の擬単結晶であることを特徴とする金属化合物結晶性膜。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

面内に異方性を有し、かつ表面が非晶質である基板上の金属化合物結晶性膜であって;化合物が酸化物または窒化物であり;かつ面内結晶方位の分散が30度以下の擬単結晶であることを特徴とする金属化合物結晶性膜。

IPC (2件)：

C30B 9/10 ,  H01L 29/24

FI (2件)：

C30B9/10 ,  H01L29/24

Fターム (14件)：

4G077AA03 ,  4G077AA07 ,  4G077AB02 ,  4G077BB10 ,  4G077BE11 ,  4G077BE15 ,  4G077CA08 ,  4G077CC04 ,  4G077CC06 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077EE05 ,  4G077LA01 ,  4G077LA05

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 酸化物半導体膜及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2014-052318   出願人：デクセリアルズ株式会社