特許

J-GLOBAL ID：201803011223290083

液晶表示装置

発明者： 山崎 舜平 ,  三宅 博之 ,  佐藤 貴洋 ,  神長 正美
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-085083
公開番号（公開出願番号）：特開2018-157216
出願日： 2018年04月26日
公開日（公表日）： 2018年10月04日
要約：

【課題】トランジスタ及び接続部が有する配線形状を特定の構造とすることで、電気特性の優れたトランジスタ及び電気特性の優れた接続部を有する半導体装置を提供する。【解決手段】トランジスタは、ゲート電極104aと、ゲート電極上に形成される第1の絶縁膜と、第1の絶縁膜上に形成され、ゲート電極と重畳する位置に形成される酸化物半導体膜110と、酸化物半導体膜と電気的に接続されるソース電極112a及びドレイン電極112bと、を有する。接続部は、ゲート電極と同一表面上に形成される第1の配線と、ソース電極及びドレイン電極と同一表面上に形成される第2の配線と、第1の配線と第2の配線を接続する第3の配線と、を有し、第2の配線の端部は、ソース電極及びドレイン電極の端部よりも上端部と下端部の距離が長い。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

トランジスタ、容量部、及び接続部を有する半導体装置であって、 前記トランジスタは、 ゲート電極と、 前記ゲート電極上の第1の絶縁膜と、 前記第1の絶縁膜上に設けられ、前記ゲート電極と重畳する領域を有する酸化物半導体膜と、 前記酸化物半導体膜と接する領域を有する、ソース電極及びドレイン電極と、を有し、 前記ソース電極上及び前記ドレイン電極上の第2の絶縁膜を有し、 前記第2の絶縁膜上に接する領域を有する第1の導電膜を有し、 前記接続部は、 前記ゲート電極と同一表面上に設けられた第2の導電膜と、 前記ソース電極及び前記ドレイン電極と同一表面上に設けられた第3の導電膜と、 前記第1の導電膜と同一表面上に設けられ、且つ前記第1の導電膜と同じ材料を有する第4の導電膜と、を有し、 前記第1の絶縁膜は、第1の開口部を有し、 前記第2の絶縁膜は、第2の開口部及び第3の開口部を有し、 前記第2の開口部は、前記第1の開口部と重なる領域を有し、 前記第2の開口部の径は、前記第1の開口部の径より大きく、 前記第4の導電膜は、前記第1の開口部及び前記第2の開口部を介して前記第2の導電膜と電気的に接続され、 前記第4の導電膜は、第3の開口部を介して前記第3の導電膜と電気的に接続され、 前記第2の導電膜、前記第3の導電膜、及び前記第4の導電膜の各々は、第1の方向に延在する領域を有し、 前記第4の導電膜は、前記第1の方向に交差する第2の方向において第1の幅を有し、 前記第2の導電膜は、前記第2の方向において第2の幅を有し、 前記第3の導電膜は、前記第2の方向において第3の幅を有し、 前記第1の幅は、前記第2の幅及び前記第3の幅よりも大きく、 前記容量部は、 前記第1の絶縁膜上に接する領域を有する第5の導電膜を有し、 前記第5の導電膜は、前記容量部の一方の電極としての機能を有し、 前記第1の導電膜は、前記容量部の他方の電極としての機能と、液晶素子の一方の電極としての機能と、を有し、 前記第1及び前記第5の導電膜は、透光性を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/522 ,  G02F 1/136 ,  G02F 1/134

FI (5件)：

H01L29/78 612A ,  H01L21/90 B ,  H01L29/78 618B ,  G02F1/1368 ,  G02F1/1345

Fターム (125件)：

2H092GA29 ,  2H092GA30 ,  2H092GA35 ,  2H092GA62 ,  2H092JA26 ,  2H092JA29 ,  2H092JA38 ,  2H092JA44 ,  2H092JA46 ,  2H092JB68 ,  2H092JB69 ,  2H092KA08 ,  2H192AA24 ,  2H192BC32 ,  2H192CB05 ,  2H192CB08 ,  2H192CB37 ,  2H192CB72 ,  2H192CC72 ,  2H192DA12 ,  2H192DA42 ,  2H192FA39 ,  2H192FA52 ,  2H192FA73 ,  2H192FB02 ,  2H192GA41 ,  2H192GB61 ,  5F033GG04 ,  5F033HH38 ,  5F033JJ38 ,  5F033KK08 ,  5F033KK09 ,  5F033KK11 ,  5F033KK12 ,  5F033KK18 ,  5F033KK19 ,  5F033KK20 ,  5F033KK21 ,  5F033KK33 ,  5F033KK34 ,  5F033MM08 ,  5F033MM13 ,  5F033MM20 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ34 ,  5F033RR03 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033SS04 ,  5F033SS15 ,  5F033TT02 ,  5F033VV15 ,  5F033XX01 ,  5F033XX02 ,  5F033XX03 ,  5F033XX28 ,  5F033XX33 ,  5F110AA26 ,  5F110BB02 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE11 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE30 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF10 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG07 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG16 ,  5F110GG17 ,  5F110GG19 ,  5F110GG32 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK33 ,  5F110HL07 ,  5F110HL23 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN05 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110PP01 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110QQ02 ,  5F110QQ08 ,  5F110QQ09

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 液晶表示装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-238383   出願人：エルジー.フィリップスエルシーデーカンパニー,リミテッド
• 液晶表示装置およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-198549   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• エッチング液組成物、基板上に所定のパターンを形成する方法及び前記基板上に所定のパターンを形成する方法により作成したアレイ基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-083652   出願人：エプソンイメージングデバイス株式会社
• 表示装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-114009   出願人：株式会社日立ディスプレイズ
• 半導体装置およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-303733   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所