特許
J-GLOBAL ID：200903098552989827

半導体装置およびその作製方法

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について

, 
桑原 秀明

桑原 秀明 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-303733
公開番号（公開出願番号）：特開2009-158940
出願日： 2008年11月28日
公開日（公表日）： 2009年07月16日
要約：
【課題】工程を増やすことなく、1枚のマザーガラス基板上に所望の部分にそれぞれ精密に配線の側面の角度を異ならせた配線を提供することを課題とする。【解決手段】多階調マスクを用いることで1つのフォトレジスト層を1枚のマザーガラス基板から遠ざかる方向に向かって断面積が連続的に減少するテーパ形状を有するフォトレジスト層を形成する。1本の配線を形成する際、1枚のフォトマスクを用い、金属膜を選択的にエッチングすることで、場所によって側面形状(具体的には基板主平面に対する角度)が異なる1本の配線を得る。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上に半導体層と、 前記半導体層と一部重なる配線とを有し、 前記配線は、配線側部の幅が広い領域と配線側部の幅が狭い領域とを有し、 前記配線側部の幅が広い領域は、前記半導体層と少なくとも一部重なり、且つ、配線側部の幅が狭い領域の配線幅方向断面の側面角度と比べて配線幅方向断面の側面角度が10°以上小さいことを特徴とする半導体装置。
IPC (10件)：
H01L 21/320 ,  H01L 23/52 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/768 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H01L 29/417 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/027
FI (9件)：
H01L21/88 A ,  H01L29/78 612C ,  H01L29/78 627C ,  H01L21/90 A ,  H01L29/58 G ,  H01L29/50 M ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/28 301A ,  H01L21/30 576
Fターム (137件)：
4M104AA09 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB09 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB32 ,  4M104BB36 ,  4M104CC05 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD64 ,  4M104DD65 ,  4M104DD71 ,  4M104FF08 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH03 ,  5F033GG04 ,  5F033HH08 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033HH17 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH20 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH38 ,  5F033JJ13 ,  5F033JJ14 ,  5F033JJ17 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ20 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ38 ,  5F033KK04 ,  5F033KK05 ,  5F033KK06 ,  5F033KK07 ,  5F033KK08 ,  5F033KK09 ,  5F033KK11 ,  5F033KK18 ,  5F033KK20 ,  5F033LL01 ,  5F033MM17 ,  5F033MM19 ,  5F033PP15 ,  5F033PP19 ,  5F033QQ01 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ26 ,  5F033QQ34 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ98 ,  5F033RR21 ,  5F033VV06 ,  5F033VV15 ,  5F033WW00 ,  5F033XX16 ,  5F046AA25 ,  5F046DA30 ,  5F110AA06 ,  5F110AA16 ,  5F110AA26 ,  5F110BB02 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE01 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE23 ,  5F110EE25 ,  5F110EE38 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF10 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG19 ,  5F110GG22 ,  5F110GG24 ,  5F110GG32 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG36 ,  5F110GG45 ,  5F110GG57 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK09 ,  5F110HK16 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK25 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HL01 ,  5F110HL07 ,  5F110HL14 ,  5F110HM03 ,  5F110HM04 ,  5F110HM05 ,  5F110NN02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN05 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ02 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ08 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ19 ,  5F110QQ25
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (6件)
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