特許
J-GLOBAL ID：201803011501079283
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
酒井 昭徳
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-133210
公開番号（公開出願番号）：特開2015-008234
特許番号：特許第6268767号
出願日： 2013年06月25日
公開日（公表日）： 2015年01月15日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体ウエハの表面にp型不純物をイオン注入し、前記半導体ウエハの表面層にp型不純物領域を形成する第1イオン注入工程と、
前記半導体ウエハの前記p型不純物領域が形成された側の表面にレジストを塗布する塗布工程と、
前記レジストをパターニングし、前記半導体ウエハを選択的に露出させる露出工程と、
前記レジストの残部をマスクとして前記半導体ウエハにn型不純物をイオン注入し、前記半導体ウエハの表面から前記p型不純物領域よりも深い部分にn型不純物領域を形成する第2イオン注入工程と、
前記半導体ウエハの前記p型不純物領域が形成された側の表面層の、前記n型不純物領域上の部分を除去して前記n型不純物領域を露出させる除去工程と、
を含み、
前記除去工程では、前記レジストの残部を除去するとともに、前記半導体ウエハの前記p型不純物領域が形成された側の表面層の、前記n型不純物領域上の部分を除去することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (6件)：
H01L 29/78 ( 200 6.01)
, H01L 29/739 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 21/8234 ( 200 6.01)
, H01L 27/06 ( 200 6.01)
, H01L 21/265 ( 200 6.01)
H01L 29/78 657 D
, H01L 29/78 655 A
, H01L 29/78 658 A
, H01L 29/78 658 G
, H01L 27/06 102 A
, H01L 21/265 F
