半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：龍華国際特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-125019
公開番号（公開出願番号）：特開2017-228703
出願日： 2016年06月23日
公開日（公表日）： 2017年12月28日
要約：

【課題】不純物をイオン注入した窒化物半導体層上に保護膜を設けてアニールする場合、窒化物半導体層の表面から外に空孔欠陥が逃げて消失することが阻害される問題がある。【解決手段】窒化物半導体層を有する半導体装置の製造方法であって、窒化物半導体層に不純物を注入する注入段階と、窒素原子含有ガス雰囲気下において、窒化物半導体層上に保護膜を設けることなく第1温度で窒化物半導体層をアニールする第1アニール段階と、第1アニール段階の後に、窒化物半導体層上に保護膜を形成する段階と、保護膜を形成した後に、第1温度よりも高い第2温度で窒化物半導体層をアニールする第2アニール段階とを備える、半導体装置の製造方法を提供する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

窒化物半導体層を有する半導体装置の製造方法であって、前記窒化物半導体層に不純物を注入する注入段階と、窒素原子含有ガス雰囲気下において、前記窒化物半導体層上に保護膜を設けることなく第1温度で前記窒化物半導体層をアニールする第1アニール段階と、前記第1アニール段階の後に、前記窒化物半導体層上に前記保護膜を形成する段階と、前記保護膜を形成した後に、前記第1温度よりも高い第2温度で前記窒化物半導体層をアニールする第2アニール段階とを備える半導体装置の製造方法。

IPC (7件)：

H01L 21/265 , H01L 29/12 , H01L 29/78 , H01L 21/336 , H01L 21/329 , H01L 29/868 , H01L 29/861

FI (6件)：

H01L21/265 601A , H01L29/78 652T , H01L29/78 658A , H01L29/91 A , H01L29/91 F , H01L29/78 652C

引用特許：

出願人引用 (4件)

p型窒化ガリウム系半導体領域を形成する方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-006087 出願人：住友電気工業株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2014-061045 出願人：住友重機械工業株式会社, 松本智
連続注入および熱処理によってGaNを主成分とする半導体層中のドーパントの活性化を行うための方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2015-187787 出願人：コミサリアアレネルジーアトミックエオゼネルジーアルテルナティブ

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