特許
J-GLOBAL ID:201803011761511430
シリコンナノ粒子の製造方法
発明者:
,
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
前田 伸哉
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-174578
公開番号(公開出願番号):特開2018-039695
出願日: 2016年09月07日
公開日(公表日): 2018年03月15日
要約:
【課題】より均一な量子ドット特性を奏するシリコンナノ粒子を得ることのできる、化学エッチング法によるシリコンナノ粒子の製造方法を提供すること。【解決手段】分散されたシリコン粉末を含む水系溶媒にフッ化水素酸を添加して反応混合物を調製する第一投入工程と、上記第一投入工程を経た上記反応混合物に、シリコン粒子の表面を酸化させる作用を備えた酸化剤を添加する第二投入工程と、上記第二投入工程を経た上記反応混合物に対して、上記反応混合物を混合させるための外力を加えながら上記フッ化水素酸と上記酸化剤との作用により上記シリコン粉末に含まれるシリコン粒子を細径化させるエッチング工程とを備えるシリコンナノ粒子の製造方法を用いる。【選択図】図1
請求項(抜粋):
化学エッチング法によりシリコン粉末からシリコンナノ粒子を製造するシリコンナノ粒子の製造方法であって、
分散されたシリコン粉末を含む水系溶媒にフッ化水素酸を添加して反応混合物を調製する第一投入工程と、
前記第一投入工程を経た前記反応混合物に、シリコン粒子の表面を酸化させる作用を備えた酸化剤を添加する第二投入工程と、
前記第二投入工程を経た前記反応混合物に対して、前記反応混合物を混合させるための外力を加えながら前記フッ化水素酸と前記酸化剤との作用により前記シリコン粉末に含まれるシリコン粒子を細径化させるエッチング工程と、を備えることを特徴とするシリコンナノ粒子の製造方法。
IPC (2件):
FI (2件):
Fターム (18件):
4G072AA01
, 4G072BB05
, 4G072DD06
, 4G072DD07
, 4G072GG03
, 4G072HH01
, 4G072JJ16
, 4G072JJ18
, 4G072LL06
, 4G072LL11
, 4G072MM01
, 4G072MM02
, 4G072MM26
, 4G072RR03
, 4G072RR07
, 4G072RR12
, 4G072UU01
, 4G072UU30
引用特許:
前のページに戻る