特許
J-GLOBAL ID:201803011902135372

赤外線放射率制御デバイス、赤外線放射率制御装置および宇宙機

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (5件): 棚井 澄雄 ,  橋本 宏之 ,  山口 洋 ,  沖田 壮男 ,  荒 則彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-229267
公開番号(公開出願番号):特開2018-083743
出願日: 2016年11月25日
公開日(公表日): 2018年05月31日
要約:
【課題】宇宙機に適用した場合、高温の惑星に接近したときなどの高温環境下では、温度上昇の要因となる赤外線の放射率が低く(即ち、赤外線の反射率が高く)、宇宙機の内部温度の上昇を抑えることができ、遮熱性が高く、一方、宇宙空間のような極低温環境下では赤外線の放射率が高く、宇宙機内部の熱を赤外線として効率良く外部に放出させることができ、熱交換性に優れる赤外線放射率制御デバイスを提供する。【解決手段】二酸化バナジウム結晶層を備え、前記二酸化バナジウム結晶層はルチル型結晶構造-単斜晶型結晶構造間の相転移温度を持ち、前記相転移温度よりも高い温度での赤外線放射率が、前記相転移温度よりも低い温度での赤外線放射率よりも低い特性を有する赤外線放射率制御デバイス。【選択図】図2
請求項(抜粋):
二酸化バナジウム結晶層を備え、前記二酸化バナジウム結晶層はルチル型結晶構造-単斜晶型結晶構造間の相転移温度を持ち、前記相転移温度よりも高い温度での赤外線放射率が、前記相転移温度よりも低い温度での赤外線放射率よりも低い特性を有する赤外線放射率制御デバイス。
IPC (2件):
C01G 31/02 ,  B64G 1/50
FI (2件):
C01G31/02 ,  B64G1/50 Z
Fターム (7件):
4G048AA02 ,  4G048AB01 ,  4G048AC05 ,  4G048AC08 ,  4G048AD02 ,  4G048AD03 ,  4G048AD07
引用特許:
審査官引用 (3件)

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