特許
J-GLOBAL ID：201803012135350536
C面GaN基板
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
川口 嘉之
, 高田 大輔
, 佐貫 伸一
, 丹羽 武司
, 下田 俊明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-155966
公開番号（公開出願番号）：特開2018-024539
出願日： 2016年08月08日
公開日（公表日）： 2018年02月15日
要約：
【課題】窒化物半導体デバイス、バルク窒化物半導体結晶の製造に用いられる新規なC面GaN基板及びその製造方法の提供。【解決手段】GaNシードの極性表面上に線状開口からなる周期的開口パターンを設けたパターンマスクを配置し、前記パターンマスクを通してGaN結晶をアモノサーマル的に成長させることにより、GaN結晶とパターンマスクとの間にギャップを形成させ、更にGaN結晶をC軸方向に成長させた後、GaN結晶を加工してC面GaN基板10を得るC面GaN基板10製造方法。C面GaN基板10の主表面上に引いた長さ40mmの仮想的な線分LS1及びLS2上において、ωスキャンの際のX線入射面を各線分と平行にして(004)反射のXRCを1mm間隔で測定したとき、全測定点間でのXRCのFWHMの最大値が30arcsec未満であり、XRCのピーク角度の最大値と最小値との差が0.2°未満であるC面GaN基板10。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
主表面上に、下記条件(A1)および(B1)の少なくとも一方を充たす長さ40mmの仮想的な線分である第一線分を少なくともひとつ引き得る、C面GaN基板:
(A1)当該第一線分上において、各ωスキャンの際のX線入射面を当該第一線分と平行にして(004)反射のXRCを1mm間隔で測定したとき、全測定点間でのXRCのFWHMの最大値が30arcsec未満である;
(B1)当該第一線分上において、各ωスキャンの際のX線入射面を当該第一線分と平行にして(004)反射のXRCを1mm間隔で測定したとき、全測定点間でのXRCのピーク角度の最大値と最小値との差が0.2°未満である。
IPC (4件)：
C30B 29/38
, C30B 25/04
, C30B 7/10
, H01L 21/203
C30B29/38 D
, C30B25/04
, C30B7/10
, H01L21/203 Z
4G077AA02
, 4G077AB01
, 4G077AB02
, 4G077AB08
, 4G077AB09
, 4G077BE15
, 4G077CB03
, 4G077DB01
, 4G077EB01
, 4G077ED06
, 4G077EE07
, 4G077FJ06
, 4G077HA12
, 4G077KA03
, 5F103AA10
, 5F103BB02
, 5F103BB16
, 5F103DD01
, 5F103GG01
, 5F103GG06
, 5F103HH03
, 5F103HH08
, 5F103NN05
, 5F103NN06
, 5F103PP08
, 5F103RR04
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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