特許
J-GLOBAL ID：201803012245074844
炭化珪素半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
高田 守
, 高橋 英樹
, 久野 淑己
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-004944
公開番号（公開出願番号）：特開2018-067736
出願日： 2018年01月16日
公開日（公表日）： 2018年04月26日
要約：
【課題】製品の信頼性を向上させることができる炭化珪素半導体装置及びその製造方法を得る。【解決手段】化学機械研磨により平坦化処理が施された炭化珪素単結晶基板1の表面を還元性ガス雰囲気中でガスエッチングする。次に、ガスエッチング後に炭化珪素単結晶基板1の表面上に炭化珪素膜6をエピタキシャル成長させる。炭化珪素膜6の三角欠陥密度は0.1/cm2以下である。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
化学機械研磨により平坦化処理が施された炭化珪素単結晶基板の表面を還元性ガス雰囲気中でガスエッチングする工程と、
前記ガスエッチング後に前記炭化珪素単結晶基板の前記表面上に炭化珪素膜をエピタキシャル成長させる工程とを備え、
前記炭化珪素膜の三角欠陥密度は0.1/cm2以下であることを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (16件)：
4G077AA03
, 4G077AB01
, 4G077BE08
, 4G077DB09
, 4G077ED06
, 4G077EE03
, 4G077HA06
, 4G077TA04
, 4G077TK01
, 4G077TK10
, 5F152LL03
, 5F152LN03
, 5F152MM18
, 5F152NN05
, 5F152NN27
, 5F152NQ02
