特許

J-GLOBAL ID：201803012423742295

エッチング方法及びエッチング装置

発明者： 鰍場 真樹 ,  前田 主悦
出願人/特許権者： 株式会社SCREENホールディングス
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-193198
公開番号（公開出願番号）：特開2018-056465
出願日： 2016年09月30日
公開日（公表日）： 2018年04月05日
要約：

【課題】シリコン基板上に形成された膜質の異なるさまざまなシリコン酸化膜を気相でエッチングするエッチング方法において、エッチング後の基板表面にフッ素が残留すること、および基板全面に対するエッチング均一性を向上させることが課題となっている。エッチング後の基板表面にフッ素を残留させずに膜質の異なるさまざまなシリコン酸化膜を基板全面に対して均一に気相エッチングするエッチング方法およびエッチング装置を提供する。【解決手段】基板を収容する処理室内を減圧にした後、第1の水蒸気を処理室内に供給して基板上に薄い水膜を形成し、その後フッ化水素ガスと第1の水蒸気とを所定の割合で混合したフッ化水素混合ガスを処理室内に供給して基板に形成されたシリコン酸化膜をエッチングする。エッチング後、第2の水蒸気を処理室内に供給して基板を洗浄することにより基板表面のフッ素を除去する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

シリコン酸化膜が形成された基板をエッチングするエッチング方法において、 前記基板を収容する処理室内を減圧状態にする減圧工程と、 前記減圧工程の後、フッ化水素を含むエッチングガスを前記処理室内に供給して前記基板に形成されたシリコン酸化膜をエッチングするエッチング工程と、 前記エッチング工程の後、水蒸気を前記処理室内に供給して前記基板を洗浄する洗浄工程と、 を有することを特徴とする基板のエッチング方法。

IPC (2件)：

H01L 21/302 ,  H01L 21/304

FI (3件)：

H01L21/302 201A ,  H01L21/304 645B ,  H01L21/304 645Z

Fターム (24件)：

5F004AA14 ,  5F004BA19 ,  5F004BB18 ,  5F004BB26 ,  5F004CA01 ,  5F004CA02 ,  5F004CA04 ,  5F004DA00 ,  5F004DA20 ,  5F004DB03 ,  5F004FA08 ,  5F157AA09 ,  5F157AA29 ,  5F157AB02 ,  5F157AB33 ,  5F157BG06 ,  5F157BG23 ,  5F157BG39 ,  5F157BH18 ,  5F157CA31 ,  5F157CF34 ,  5F157CF42 ,  5F157DA21 ,  5F157DB37

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 基板の処理方法および半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-092026   出願人：株式会社東芝
• ウエハの洗浄方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-184095   出願人：ソニー株式会社