特許
J-GLOBAL ID：200903092217445601

基板の処理方法および半導体装置の製造方法

発明者：
速水 直哉

速水 直哉 について

, 
福井 博之

福井 博之 について

, 
藤田 博

藤田 博 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (8件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-092026
公開番号（公開出願番号）：特開2007-266490
出願日： 2006年03月29日
公開日（公表日）： 2007年10月11日
要約：
【課題】同一チャンバ内でフッ化水素および水の蒸気を含む第1ガスによる洗浄等の処理と水およびアルコールから選ばれる少なくとも1つの蒸気を含む第2ガスによるリンス処理を行うことが可能な半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】チャンバ内に所望の処理により汚染された半導体基板を設置した後、この半導体基板を加熱しながら、その半導体基板にフッ化水素および水の蒸気を含む第1ガスを供給して洗浄する工程と、同一チャンバ内で半導体基板に水およびアルコールから選ばれる少なくとも1つの蒸気を含む第2ガスを供給したリンスする工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
チャンバ内に被処理基板を設置した後、この基板を加熱しながらその基板にフッ化水素および水の蒸気を含む第1ガスを供給して洗浄する工程と、 同一チャンバ内で前記被処理基板に水およびアルコールから選ばれる少なくとも1つの蒸気を含む第2ガスを供給する工程と を含むことを特徴とする基板の処理方法。
IPC (3件)：
H01L 21/304 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/027
FI (5件)：
H01L21/304 645B ,  H01L21/304 645A ,  H01L21/304 651L ,  H01L21/306 D ,  H01L21/30 572B
Fターム (4件)：
5F043AA31 ,  5F043AA36 ,  5F043BB27 ,  5F046MA05
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (7件)
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