特許
J-GLOBAL ID:201803012520891114
発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
松本 昂
, 岡本 知広
, 笠原 崇廣
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-137016
公開番号(公開出願番号):特開2018-010898
出願日: 2016年07月11日
公開日(公表日): 2018年01月18日
要約:
【課題】 十分な輝度が得られる発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップを提供することである。【解決手段】 発光ダイオードチップの製造方法であって、結晶成長用の透明基板上に発光層を含む複数の半導体層が形成された積層体層を有し、該積層体層の表面に互いに交差する複数の分割予定ラインによって区画された各領域にそれぞれLED回路が形成されたウエーハを準備するウエーハ準備工程と、透明基板の表面に該ウエーハの各LED回路に対応して複数の窪みを形成する透明基板加工工程と、該透明基板加工工程を実施した後、該ウエーハの裏面に該透明基板の表面を貼着して一体化ウエーハを形成する一体化工程と、該ウエーハを該分割予定ラインに沿って該透明基板とともに切断して該一体化ウエーハを個々の発光ダイオードチップに分割する分割工程と、を備えたことを特徴とする。【選択図】図8
請求項(抜粋):
発光ダイオードチップの製造方法であって、
結晶成長用の透明基板上に発光層を含む複数の半導体層が形成された積層体層を有し、該積層体層の表面に互いに交差する複数の分割予定ラインによって区画された各領域にそれぞれLED回路が形成されたウエーハを準備するウエーハ準備工程と、
透明基板の表面に該ウエーハの各LED回路に対応して複数の窪みを形成する透明基板加工工程と、
該透明基板加工工程を実施した後、該ウエーハの裏面に該透明基板の表面を貼着して一体化ウエーハを形成する一体化工程と、
該ウエーハを該分割予定ラインに沿って該透明基板とともに切断して該一体化ウエーハを個々の発光ダイオードチップに分割する分割工程と、
を備えたことを特徴とする発光ダイオードチップの製造方法。
IPC (3件):
H01L 33/22
, H01L 21/301
, B23K 26/351
FI (3件):
H01L33/22
, H01L21/78 Q
, B23K26/351
Fターム (20件):
4E168AD18
, 4E168CB07
, 4E168DA04
, 4E168JA13
, 4E168JA14
, 4E168JA17
, 5F063AA04
, 5F063BA11
, 5F063BA33
, 5F063BA47
, 5F063CA04
, 5F063CB07
, 5F063CB28
, 5F063CC33
, 5F063DD02
, 5F241AA04
, 5F241CA04
, 5F241CA40
, 5F241CA74
, 5F241CA76
引用特許:
審査官引用 (8件)
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大型の逆さ光取り出し構造付の装置
公報種別:公表公報
出願番号:特願2014-516027
出願人:センサーエレクトロニックテクノロジーインコーポレイテッド
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加工方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2013-120243
出願人:株式会社ディスコ
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発光モジュール
公報種別:公開公報
出願番号:特願2009-149111
出願人:株式会社小糸製作所
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