特許
J-GLOBAL ID：200903085827389820
電子素子モジュールの製造方法、電子素子モジュールおよび電子情報機器
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
山本 秀策
, 安村 高明
, 大塩 竹志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-127768
公開番号（公開出願番号）：特開2009-277884
出願日： 2008年05月14日
公開日（公表日）： 2009年11月26日
要約：
【課題】裏面に再配線されたシリコンウェハおよびガラス板が一体化した複合構造体の生産速度を高めると共に、ガラス板のチッピングを小さくしてダイシングブレードの劣化を少なくする。【解決手段】裏面に再配線された電子素子ウェハ4とその上の接着樹脂層5(接着剤)により一定の間隔で保たれた透明ガラス板1の割断が、フルダイシングにより生じた切断間隙を通したレーザー光により為されるため、チッピングが少なく割断面の品位と割断速度が向上し、歩留まりの向上を図ることができる。また、ダイサーのダイシングブレード7は、裏面に再配線された電子素子ウェハ4の切断だけであるため、透明ガラス板1を切ることの比較において非常に切断速度が速く単位ブレード当りの処理量が上がり長寿命化を図ることができる。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
複数の電子素子が設けられた電子素子ウェハの表面とガラス製の光学素子とが貼り合わされた複合構造体を該電子素子毎に切断して個片化する電子素子モジュールの製造方法であって、
該複合構造体を、該電子素子ウェハの裏面より該電子素子間のスクライブラインに沿って該電子素子ウェハだけのフルダイシングにより生じた切断間隙を通してレーザー光を該ガラス製の光学素子に照射して、該ガラス製の光学素子を該スクライブラインに沿ってスクライブする工程を有する電子素子モジュールの製造方法。
IPC (4件)：
H01L 31/02
, H01L 21/301
, H01L 27/14
, B23K 26/00
H01L31/02 B
, H01L21/78 Q
, H01L27/14 D
, H01L21/78 M
, H01L21/78 F
, H01L21/78 C
, H01L21/78 B
, B23K26/00 D
, B23K26/00 H
4E068AD00
, 4E068DA10
, 4E068DB13
, 4M118AA10
, 4M118AB01
, 4M118AB10
, 4M118GC11
, 4M118GD02
, 4M118HA02
, 4M118HA24
, 4M118HA31
, 5F088BA18
, 5F088BB03
, 5F088EA13
, 5F088GA08
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (3件)
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