特許
J-GLOBAL ID：201003072716084440
発光素子、発光素子用サファイア基板及び発光素子用サファイア基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
平田 忠雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-242943
公開番号（公開出願番号）：特開2010-074090
出願日： 2008年09月22日
公開日（公表日）： 2010年04月02日
要約：
【課題】半導体層と透光性基板の間の反射を抑制して光の取り出し効率を向上させる。【解決手段】LEDチップ100において、平坦部102b及び当該平坦部102bに周期的に形成された複数の錐状の凹部102cを成長面102aに有するサファイア基板102と、サファイア基板102の成長面102aにて横方向成長が可能であり各凹部102cに沿って周期的に形成される複数の錘状の凸部を成長面102a側に有し、n型GaN層112、多重量子井戸活性層114及びp型GaN層118を含む半導体層と、を備え、半導体層とサファイア基板102の界面にて光の反射を抑制するようにした。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
平坦部と、当該平坦部に周期的に形成された複数の錐状の凹部と、を成長面に有する透光性基板と、
前記透光性基板の前記成長面にて横方向成長が可能であり、前記各凹部に沿って周期的に形成される複数の錘状の凸部を前記成長面側に有し、第1導電型層、活性層及び第2導電型層を少なくとも含む半導体層と、を備えた発光素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (10件)：
5F041AA03
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA12
, 5F041CA40
, 5F041CA74
, 5F041CA88
, 5F041CA92
, 5F041CA98
, 5F041CB15
