特許
J-GLOBAL ID:201803012686702131

誘導自己組織化用のケイ素系ハードマスク層

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 渡辺 望稔 ,  三和 晴子 ,  伊東 秀明
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2015-507082
特許番号:特許第6284925号
出願日: 2013年04月15日
請求項(抜粋):
【請求項1】 誘導自己組織化を用いるマイクロエレクトロニクス構造体を形成する方法で、前記方法が: ウェーハースタックを供給し、前記スタックは以下を含む: 面がある基板; 前記基板面の上にある1つ以上の随意的な中間層; 適合性のある部分を含む組成物をスピンコートすることにより形成され、前記中間層が存在するならこれに隣接する、または中間層が存在しないなら前記基板面の上のハードマスク層;および 自己組織化組成物を前記ハードマスク層に直接塗布する、 前記自己組織化組成物は前記ハードマスク層に直接隣接して自己組織化層に自己組織化し、ここに前記自己組織化層は第1自己組織化領域および前記第1自己組織化領域とは異なる第2自己組織化領域を含む、 ことを含む、マイクロエレクトロニクス構造体を形成する方法。
IPC (2件):
H01L 21/027 ( 200 6.01) ,  G03F 7/40 ( 200 6.01)
FI (2件):
H01L 21/30 502 D ,  G03F 7/40 511
引用特許:
審査官引用 (5件)
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