特許

J-GLOBAL ID：201203060734518194

微細パターンの形成方法

発明者： 渡 部 彰 ,  木 村 香 里 ,  礒 脇 洋 介 ,  鎌 田 芳 幸 ,  木 原 尚 子 ,  喜々津 哲
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (5件)： 勝沼 宏仁 ,  佐藤 泰和 ,  川崎 康 ,  赤岡 明 ,  関根 毅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-208122
公開番号（公開出願番号）：特開2012-064783
出願日： 2010年09月16日
公開日（公表日）： 2012年03月29日
要約：

【課題】パターンの形状ラフネスを増加させることなく、パターンを転写することを可能にする。【解決手段】基板上にハードマスクを形成する工程と、ハードマスク上にマスク補助材を形成する工程と、マスク補助材上に海島構造を有するジブロックコポリマー層を形成する工程と、ジブロックコポリマー層に前記海島構造の島部が凸部となる凹凸状構造のパターンを形成する工程と、ジブロックコポリマー層に形成されたパターンをマスクとしてマスク補助材およびハードマスクをエッチングし、ハードマスクにパターンを転写する工程と、を備え、マスク補助材はエッチング速度が、ハードマスクのエッチング速度より大きく、ジブロックコポリマーの海島構造の海の部分のエッチング速度より小さい材料である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上にハードマスクを形成する工程と、 前記ハードマスク上にマスク補助材を形成する工程と、 前記マスク補助材上に海島構造を有するジブロックコポリマー層を形成する工程と、 前記ジブロックコポリマー層に前記海島構造の島部が凸部となる凹凸状構造のパターンを形成する工程と、 前記ジブロックコポリマー層に形成されたパターンをマスクとして前記マスク補助材および前記ハードマスクをエッチングし、前記ハードマスクにパターンを転写する工程と、 を備え、 前記マスク補助材はエッチング速度が、前記ハードマスクのエッチング速度より大きく、前記ジブロックコポリマーの海島構造の海の部分のエッチング速度より小さい材料であることを特徴とする微細パターンの形成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/306 ,  C08J 7/00 ,  H01L 21/027 ,  H01F 41/34 ,  G11B 5/84

FI (5件)：

H01L21/302 105A ,  C08J7/00 Z ,  H01L21/30 563 ,  H01F41/34 ,  G11B5/84 Z

Fターム (23件)：

4F073AA28 ,  4F073BA33 ,  4F073BB01 ,  4F073CA49 ,  5D112AA05 ,  5D112AA18 ,  5D112AA19 ,  5D112AA24 ,  5D112GA02 ,  5D112GA20 ,  5E049AA04 ,  5E049AC05 ,  5E049BA08 ,  5E049BA30 ,  5F004BA14 ,  5F004BD01 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F004DB00 ,  5F004DB29 ,  5F004EA04 ,  5F046HA07 ,  5F146HA07

引用特許：

審査官引用 (4件)

• ブロック共重合体を利用した半導体素子の微細パターンの形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-252906   出願人：三星電子株式会社
• パターン基板,パターン基板の製造方法、微細金型および磁気記録用パターン媒体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-317857   出願人：株式会社日立製作所
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-157018   出願人：富士通株式会社
• 磁気記録媒体および磁気記録装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-153827   出願人：株式会社東芝