特許
J-GLOBAL ID:201803012731108181
誘電体組成物、誘電体素子、電子部品および積層電子部品
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
前田・鈴木国際特許業務法人
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2018-501921
公開番号(公開出願番号):特表2018-529222
出願日: 2016年06月16日
公開日(公表日): 2018年10月04日
要約:
【課題】 DCバイアス印加時の比誘電率およびDCバイアス特性が良好であり、さらに高温負荷寿命および機械的強度も良好である誘電体組成物と、その誘電体組成物を用いた誘電体素子、電子部品および積層電子部品を提供する。【解決手段】 少なくともBi、Na、SrおよびTiを含むペロブスカイト型の結晶構造を有する粒子を含む誘電体組成物である。誘電体組成物は、Tiを100モル部として、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Yb、Ba、Ca、Mg、およびZnの中から選ばれる少なくとも1種以上を0.5モル部以上、11.1モル部以下含む。Srに対するBiのモル比率をαとした場合に、0.17≦α≦2.83である。粒子のうち少なくとも一部は、誘電体組成物全体の平均Bi濃度に対して0.8倍以下のBi濃度である低Bi相を含む。粒子内にある低Bi相の面積の合計が粒子の面積の合計に対して0.1%以上15%以下である。【選択図】図3
請求項(抜粋):
少なくともBi、Na、SrおよびTiを含むペロブスカイト型の結晶構造を有する粒子を含む誘電体組成物であって、
前記誘電体組成物は、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Yb、Ba、Ca、Mg、およびZnの中から選ばれる少なくとも1種以上を含み、
前記誘電体組成物におけるTiの含有量を100モル部として、前記La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Yb、Ba、Ca、Mg、およびZnの中から選ばれる少なくとも1種以上の含有量が0.5モル部以上、11.1モル部以下であり、
前記誘電体組成物における前記Srに対する前記Biのモル比率をαとした場合に、0.17≦α≦2.83であり、
前記粒子のうち少なくとも一部は、前記誘電体組成物全体の平均Bi濃度に対して0.8倍以下のBi濃度である低Bi相を含み、
前記誘電体組成物の切断面において、前記粒子内にある前記低Bi相の面積の合計が前記粒子の面積の合計に対して0.1%以上15%以下であることを特徴とする誘電体組成物。
IPC (4件):
H01G 4/12
, H01G 4/30
, C04B 35/462
, H01B 3/12
FI (8件):
H01G4/12 270
, H01G4/30 515
, H01G4/30 201L
, H01G4/30 201P
, C04B35/462
, H01B3/12 304
, H01B3/12 318G
, H01B3/12 331
Fターム (49件):
5E001AB03
, 5E001AE01
, 5E001AE03
, 5E001AE04
, 5E082AA01
, 5E082AB03
, 5E082BB04
, 5E082BB07
, 5E082BC31
, 5E082BC35
, 5E082EE04
, 5E082EE26
, 5E082EE35
, 5E082FG04
, 5E082FG26
, 5E082FG46
, 5E082FG54
, 5E082GG10
, 5E082GG11
, 5E082GG28
, 5E082JJ03
, 5E082JJ23
, 5E082LL03
, 5E082PP03
, 5G303AA01
, 5G303AB06
, 5G303AB12
, 5G303AB14
, 5G303BA12
, 5G303CA01
, 5G303CB03
, 5G303CB05
, 5G303CB06
, 5G303CB08
, 5G303CB15
, 5G303CB17
, 5G303CB20
, 5G303CB22
, 5G303CB26
, 5G303CB32
, 5G303CB35
, 5G303CB38
, 5G303CB41
, 5G303CD01
, 5G303CD04
, 5G303CD06
, 5G303CD07
, 5G303DA02
, 5G303DA05
引用特許: