特許

J-GLOBAL ID：201803012784291409

レジスト材料及びパターン形成方法

発明者： 畠山 潤 ,  大橋 正樹
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人英明国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-087099
公開番号（公開出願番号）：特開2018-197853
出願日： 2018年04月27日
公開日（公表日）： 2018年12月13日
要約：

【課題】ポジ型レジスト材料においてもネガ型レジスト材料においても、高感度かつLWR及びCDUが小さいレジスト材料、並びにこれを用いるパターン形成方法を提供する。【解決手段】下記式(a1)又は(a2)で表される繰り返し単位を含むポリマーを含むレジスト材料。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

下記式(a1)又は(a2)で表される繰り返し単位を含むポリマーを含むレジスト材料。

IPC (7件)：

G03F 7/004 ,  G03F 7/039 ,  C08F 20/38 ,  C08F 20/24 ,  C08F 28/02 ,  C08F 212/12 ,  G03F 7/20

FI (8件)：

G03F7/004 503A ,  G03F7/039 601 ,  C08F20/38 ,  C08F20/24 ,  C08F28/02 ,  C08F212/12 ,  G03F7/20 502 ,  G03F7/20 503

Fターム (68件)：

2H197AA12 ,  2H197CA03 ,  2H197CA06 ,  2H197CA08 ,  2H197CA10 ,  2H197CE01 ,  2H197CE10 ,  2H197GA01 ,  2H197JA22 ,  2H225AF16P ,  2H225AF28P ,  2H225AF29P ,  2H225AF48P ,  2H225AF52P ,  2H225AF56P ,  2H225AF67P ,  2H225AF68P ,  2H225AF73P ,  2H225AF99P ,  2H225AH11 ,  2H225AH19 ,  2H225AJ03 ,  2H225AJ13 ,  2H225AJ48 ,  2H225AJ53 ,  2H225AJ54 ,  2H225AJ60 ,  2H225AN11P ,  2H225AN38P ,  2H225AN39P ,  2H225AN42P ,  2H225AN44P ,  2H225BA01P ,  2H225BA02P ,  2H225BA26P ,  2H225CA12 ,  2H225CB14 ,  2H225CC03 ,  2H225CC15 ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AL08S ,  4J100AL08T ,  4J100BA03Q ,  4J100BA04T ,  4J100BA11R ,  4J100BA15S ,  4J100BA56S ,  4J100BB05S ,  4J100BB07T ,  4J100BB11S ,  4J100BC03P ,  4J100BC43Q ,  4J100BC43T ,  4J100BC53R ,  4J100BC53S ,  4J100CA05 ,  4J100CA06 ,  4J100EA05 ,  4J100FA03 ,  4J100FA19 ,  4J100FA28 ,  4J100GC16 ,  4J100GC26 ,  4J100HC54 ,  4J100JA38 ,  4J100JA46

引用特許：

審査官引用 (2件)

• パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス、並びに、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及び、レジスト膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2014-037300   出願人：富士フイルム株式会社
• 高分子化合物の製造方法、レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-130706   出願人：東京応化工業株式会社